[发明专利]高边栅极驱动器、开关芯片及供电设备无效

专利信息
申请号: 201210460112.6 申请日: 2012-11-15
公开(公告)号: CN103368548A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 崔贤植;金镐正;申在光;郑佑仁 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 栅极 驱动器 开关 芯片 供电 设备
【权利要求书】:

1.一种用于控制高边常开开关的高边栅极驱动器,所述高边栅极驱动器包括:

第一低电平驱动电源,被提供以切断高边常开开关;以及

保护设备和第一开关设备,被串联连接在第一低电平驱动电源和高边常开开关的栅极之间。

2.如权利要求1所述的高边栅极驱动器,其中,保护设备的电阻值是第一开关设备的电阻值的50到100倍大。

3.如权利要求1所述的高边栅极驱动器,其中,所述保护设备包含附加常开开关。

4.如权利要求3所述的高边栅极驱动器,其中,附加常开开关的平面面积是高边常开开关的十分之一到百分之一。

5.如权利要求3所述的高边栅极驱动器,其中,被作用于附加常开开关的栅极的电压大于附加常开开关的门限电压。

6.如权利要求5所述的高边栅极驱动器,其中,附加常开开关的栅极被连接到地端。

7.如权利要求3所述的高边栅极驱动器,其中,附加常开开关的栅极被连接到附加常开开关的源极/漏极。

8.如权利要求3所述的高边栅极驱动器,其中,附加常开开关和高边常开开关包含相同的结构。

9.如权利要求8所述的高边栅极驱动器,其中,所述相同结构包含从氮化镓(GaN)晶体管、碳化硅(SiC)晶体管、以及绝缘栅极双极性晶体管当中所选择的一个。

10.如权利要求1所述的高边栅极驱动器,进一步包括第二开关设备,被连接在保护设备和第二低电平驱动电源之间,

其中,第二低电平驱动电源的电压大于第一低电平驱动电源的电压。

11.如权利要求10所述的高边栅极驱动器,在切断高边常开开关时,在第二开关设备被接通之后,第一开关设备被接通。

12.一种供电设备,包括:

高边常开开关,包含被连接到输出端的源极、被连接到高电平电源的漏极以及栅极;以及

高边栅极驱动器,用于控制高边常开开关,

其中,所述高边栅极驱动器包括:

第一低电平驱动电源,被提供以切断高边常开开关;以及

保护设备和第一开关设备,被串联连接在第一低电平驱动电源和高边常开开关的栅极之间。

13.如权利要求12所述的供电设备,其中,所述高边栅极驱动器进一步包括:

高电平驱动电源,被提供以接通高边常开开关;以及

第三开关设备,被连接在高电平驱动电源和高边常开开关的栅极之间。

14.如权利要求13所述的供电设备,其中,所述高边栅极驱动器进一步包括电容设备,其被连接在高电平驱动电源和高边常开开关的源极之间。

15.如权利要求12所述的供电设备,进一步包括:

低边常开开关,包含被连接到低电平电源的源极、被连接到输出端的漏极以及栅极;以及

低边栅极驱动器,用于控制低边常开开关。

16.一种供电设备,包括:

高边常开开关,包含被连接到输出端的源极、被连接到高电平电源的漏极以及栅极;

高电平驱动电源,被提供以接通高边常开开关;

第一低电平驱动电源,被提供以切断高边常开开关;

附加常开开关,被连接到高边常开开关的栅极;以及

第一开关设备,被连接在第一低电平驱动电源和附加常开开关之间。

17.如权利要求16所述的供电设备,进一步包括:

第二低电平驱动电源,被提供以降低高边常开开关的栅极电压;以及

第二开关设备,被连接在第二低电平驱动电源和附加常开开关之间,

其中,第二低电平驱动电源的电压大于第一低电平驱动电源的电压。

18.一种开关芯片,包括:

高边常开开关,包括被连接到输出端的源极、被连接到高电平电源的漏极以及栅极;

附加常开开关,被连接到高边常开开关的栅极;以及

低边常开开关,包括被连接到低电平电源的源极、被连接到输出端的漏极以及栅极,

其中,高边常开开关、附加常开开关、以及低边常开开关包含相同的结构。

19.如权利要求18所述的开关芯片,其中,附加常开开关的平面面积是高边常开开关面积的十分之一到百分之一。

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