[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一元件区，设置于该基底之中或之上；

一导电垫，设置于该基底之中或该第一表面上，其中该导电垫电性连接该元件区；

一孔洞，自该基底的该第二表面朝该第一表面延伸；

一导线层，设置于该基底的该第二表面上，且沿着该孔洞的一侧壁朝该基底的该第一表面延伸而电性接触该导电垫，其中该导线层的位于该导电垫的正上方的一第一部分的厚度小于该导线层的位于该孔洞的该侧壁正上方的一第二部分的厚度；以及

一绝缘层，设置于该基底与该导线层之间。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导线层的位于该基底的该第二表面的正上方的一第三部分的厚度大于该导线层的该第一部分的厚度。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导线层为一多层导电层的堆叠结构。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该导线层的该第一部分为一第一数量的导电层的堆叠结构，而该导线层的该第二部分为一第二数量的导电层的堆叠结构，且该第二数量大于该第一数量。

5.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该导线层的该第二部分包括一第一导电层、一第二导电层及一第三导电层，而该导线层的该第一部分包括该第二导电层及该第三导电层。

6.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，该第三导电层包覆该第一导电层的一侧端及该第二导电层的一侧端。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该第一导电层的该侧端与该第二导电层的该侧端共平面。

8.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，该第一导电层的材质不同于该第三导电层的材质。

9.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，该第三导电层的厚度大于该第一导电层的厚度或该第二导电层的厚度。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一保护层，设置于该基底的该第二表面上，其中该保护层具有露出该导线层的一开口；以及

一导电凸块，填充于该保护层的该开口之中以电性连接该导线层。

11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该孔洞由该基底的一第三表面朝该基底的一内部延伸。

12.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第二导电垫，堆叠于该导电垫之上，其中该导电垫及该第二导电垫电性连接该元件区，且该导电垫设置于该第二导电垫与该基底之间。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体，其特征在于，该第二导电垫的一厚度大于该导电垫的一厚度。

14.根据权利要求12所述的晶片封装体，其特征在于，该导线层直接接触该第二导电垫。

15.根据权利要求12所述的晶片封装体，其特征在于，该导线层不直接接触该导电垫。

16.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导线层直接接触该导电垫的一顶表面及一侧表面。

17.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

多个第二导电垫，设置于该基底之中或该第一表面之上，其中所述第二导电垫电性连接该元件区，且该孔洞覆盖至少两个的该导电垫及所述第二导电垫；以及

多个第二导线层，设置于该基底的该第二表面上，且沿着该孔洞的该侧壁朝该基底的该第一表面延伸而分别电性接触至少两个所述第二导电垫，其中该绝缘层设置于该基底与所述第二导线层之间。