[发明专利]限制次级输出电流电路及装置

权利要求书

1.一种限制次级输出电流电路，包括：初级线圈绕组、次级线圈绕组和控制电路，所述控制电路的输出端与所述初级线圈绕组相连，其特征在于，还包括：辅助线圈绕组、采压电路及反馈电路，所述辅助线圈绕组与所述次级线圈绕组并联，所述采压电路连接在所述辅助线圈绕组和反馈电路之间，所述反馈电路还与所述控制电路的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的限制次级输出电流电路，其特征在于，所述采压电路包括整流二极管D5、滤波电容、稳压管和电阻R11，所述整流二极管D5的正极与所述辅助线圈绕组一端连接，所述整流二极管D5的负极经过所述滤波电容与所述辅助线圈绕组另一端相连后接地，所述整流二极管D5的负极还连接所述稳压管的负极，所述稳压管的正极经所述电阻R11接地。

3.根据权利要求1或2所述的限制次级输出电流电路，其特征在于，所述控制电路包括半导体三极管Q1和半导体三极管Q2；所述半导体三极管Q1的集电极与所述初级线圈绕组相连，所述半导体三极管Q1的基极与所述半导体三极管Q2的集电极相连，所述半导体三极管Q1的发射极经电阻R7接地，所述半导体三极管Q2的发射极接地。

4.根据权利要求3所述的限制次级输出电流电路，其特征在于，所述反馈电路包括电阻R9和整流二极管D2，所述电阻R9一端连接在所述稳压管与所述电阻R11之间，所述电阻R9另一端连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的负极连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的正极连接所述半导体三极管Q1的发射极。

5.一种限制次级输出电流装置，包括限制次级输出电流电路；所述限制次级输出电流电路包括：初级线圈绕组、次级线圈绕组和控制电路，所述控制电路的输出端与所述初级线圈绕组相连，其特征在于，所述限制次级输出电流电路还包括：辅助线圈绕组、采压电路及反馈电路，所述辅助线圈绕组与所述次级线圈绕组并联，所述采压电路连接在所述辅助线圈绕组和反馈电路之间，所述反馈电路还与所述控制电路的输入端连接。

6.根据权利要求5所述的限制次级输出电流装置，其特征在于，所述采压电路包括整流二极管D5、滤波电容、稳压管和电阻R11，所述整流二极管D5的正极与所述辅助线圈绕组一端连接，所述整流二极管D5的负极经过所述滤波电容与所述辅助线圈绕组另一端相连后接地，所述整流二极管D5的负极还连接所述稳压管的负极，所述稳压管的正极经所述电阻R11接地。

7.根据权利要求5或6所述的限制次级输出电流装置，其特征在于，所述控制电路包括半导体三极管Q1和半导体三极管Q2；所述半导体三极管Q1的集电极与所述初级线圈绕组相连，所述半导体三极管Q1的基极与所述半导体三极管Q2的集电极相连，所述半导体三极管Q1的发射极经电阻R7接地，所述半导体三极管Q2的发射极接地。

8.根据权利要求7所述的限制次级输出电流装置，其特征在于，所述反馈电路包括电阻R9和整流二极管D2，所述电阻R9一端连接在所述稳压管与所述电阻R11之间，所述电阻R9另一端连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的负极连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的正极连接所述半导体三极管Q1的发射极。