[发明专利]一种溶胶工艺沉积二氧化锡薄膜的方法

权利要求书

1.一种溶胶工艺沉积二氧化锡薄膜的方法，其特征在于：包括溶胶的配制、溶胶在基体表面的沉积以及二氧化锡薄膜的高温气氛转化形成。

2.如权利要求1所述的一种溶胶工艺沉积二氧化锡薄膜的方法，其特征在于：所述的溶胶的配制所使用的锡化合物为硫醇乙基锡、三苄基锡、正丁基锡、丁基氧锡、草酸亚锡、醋酸锡、甲基锡、乙醇锡、硝酸锡、苹果酸锡、甲醇锡、山梨醇锡等不含有高温下对金属具有强烈腐蚀性卤素离子的锡化合物。

3.如权利要求2所述的一种溶胶工艺沉积二氧化锡薄膜的方法，其特征在于：所述的溶胶的配制所使用的掺杂体化合物主要为金属化合物及硼、磷的化合物，这些化合物不含有高温下对金属具有严重腐蚀性的卤素离子。

4.如权利要求1所述的一种溶胶工艺沉积二氧化锡薄膜的方法，其特征在于：所述的溶胶的配制所使用的具有配位能力的化合物为不含在高温下对金属具有严重腐蚀性的卤素离子的化合物。

5.如权利要求1所述的一种溶胶工艺沉积二氧化锡薄膜的方法，其特征在于：所述的溶胶的配制过程为将锡化合物、掺杂体化合物、配体化合物加入到水中形成溶液，同时向溶液中加入不含卤素的酸或者碱调整体系的pH值在5-9之间。

6.如权利要求1所述的一种溶胶工艺沉积二氧化锡薄膜的方法，其特征在于：所述的薄膜的沉积方法为将基体材料浸入所获得的溶胶中，再将基体材料移出溶胶，这样溶胶即在基体材料表面沉积。

7.如权利要求1所述的一种溶胶工艺沉积二氧化锡薄膜的方法，其特征在于：所述的二氧化锡薄膜的高温气氛转化形成是将表面沉积有溶胶的基体材料置于高温气氛炉中进行热处理，气氛可以是氧化性气氛或者还原性气氛，热处理温度为400-900℃，从而得到电阻率可以在一定范围内按指定要求调整的二氧化锡薄膜。