[发明专利]模数转换装置及模数转换方法在审
| 申请号： | 201210460723.0 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102931993A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;刘睿;陈冰;张飞飞;刘力锋;刘晓彦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转换 装置 方法 | ||
1.一种模数转换装置，其特征在于，包括：
数据采样保持单元，用于进行数据采样，得到模拟电压信号，并对模拟电压信号进行存储；
量化单元，用于数据采样保持单元输出的模拟电压信号进行量化；
编码单元，用于对量化单元输出的数据进行编码，得到数字信号；其中，
所述数据采样保持单元包括阻变存储器。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述数据采样保持单元还包括与所述阻变存储器连接的MOS器件。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述阻变存储器包括第一导电层、金属氧化物层以及第二导电层，所述金属氧化物层位于所述第一导电层与第二导电层之间，且第一导电层、金属氧化物层以及第二导电层依次覆于所述MOS器件的漏端。
4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一导电层或第二导电层为金属。
5.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述金属氧化物层为HfOx、TiOx、WOx、NiOx、ZrOx和TaxOx中的一种，x为正整数。
6.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一导电层的厚度为5~100nm。
7.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为3~30nm。
8.如权利要求2~7中任一项所述的装置，其特征在于，所述量化单元为电流比较器。
9.一种模数转换方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在采样频率的控制下打开权利要求2~8中任一项所述的装置中的MOS器件，进行数据采样，得到模拟电压信号；
S2、利用权利要求1~8中任一项所述的装置中的阻变存储器进行模拟电压信号存储；
S3、利用权利要求1~8中任一项所述的装置中的量化单元将流过所述阻变存储器的电流与参考电流进行比较，根据比较的结果进行模拟电压信号的量化；
S4、对量化后的数据进行编码，得到数字信号。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在步骤S1之前还包括选择工作模式的步骤。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述工作模式包括SET模式和RESET模式。
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