[发明专利]一种基板以及包含该基板的液晶面板有效
申请号: | 201210460933.X | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN103809331B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 董廷泽;黄东升;陈柄宇;张千;刘英 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 蒋雅洁,武晨燕 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 以及 包含 液晶面板 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术,尤其涉及一种基板以及包含该基板的液晶面板。
背景技术
对位偏移是目前液晶面板(Panel)面临的主要品质问题,对位偏移会导致液晶面板对比度降低、色偏等不良情况出现;并且,检出率较低,导致后端严重的资材浪费。
目前,对于大尺寸液晶面板来说,在从对盒后到进行紫外线(UV)处理之间,液晶(LC)不会全部扩散,其显示区域中存在足够的真空区域,使得彩膜(CF)基板上的柱状隔垫物(PS)和TFT基板上的薄膜晶体管(TFT)之间因外界大气压作用而产生摩擦力,该摩擦力以及两个基板之间未固化的封框胶间的粘滞力,就会阻止CF基板与TFT基板之间发生对位偏移。而对于常用的小尺寸液晶面板来说,对盒后液晶会立刻扩散至液晶面板的全部区域,液晶面板的显示区域因液晶的存在导致摩擦力降低,因此在从对盒后到进行UV处理之间不能提供足够的摩擦力,很容易发生基板对位偏移问题,降低了液晶面板的良品率和画面品质。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种基板以及包含该基板的液晶面板,以解决基板对位偏移问题,提高液晶面板的良品率。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种基板,在该基板上只包含非显示区域的位置设置有用于与另一基板之间形成带有负压的密闭空间的围挡结构。
所述围挡结构设置在所述基板的非显示区域中的虚像素或树脂材料上。
所述虚像素与所述基板的显示区域中的像素一致。
所述基板的非显示区域中还设置有柱状隔垫物,所述柱状隔垫物具有能够顶住所述基板以及所述另一基板的长度。
所述柱状隔垫物设置于所述围挡结构内部和/或外部。
所述柱状隔垫物为圆柱状、长方体、或棱形,所述柱状隔垫物的数目为一个或多个。
所述基板与所述另一基板之间除所述围挡结构以外的非显示区域和具有正常气压的外部相通。
所述围挡结构为圆筒状、多边形筒状或圆锥形筒状;所述围挡结构由封框胶或包含密封圈在内的密封器件组成;所述围挡结构的数目为一个或多个。
一种液晶面板,包含上述的基板以及另一基板,该液晶面板中对盒后的两层基板因与之间的围挡结构所共同形成的密闭空间受外界大气压的挤压作用而紧密贴附在一起。
所述围挡结构设置于所述基板和所述另一基板的非显示区域中的虚像素或树脂材料上。
所述基板和/或所述另一基板的非显示区域中还设置有柱状隔垫物,所述柱状隔垫物具有能够顶住所述基板以及所述另一基板的长度。
本发明的基板,在其上只包含非显示区域的位置设置有用于与另一基板之间形成带有负压的密闭空间的围挡结构,使得对盒后的两层基板因与该围挡结构所共同形成的密闭空间受外界大气压的挤压作用而紧密贴附在一起,增大了两层基板之间的摩擦力,能有效解决基板对位偏移问题,从而大大提高液晶面板的良品率和画面品质。
并且,在保持围挡结构内部为负压的前提下,还能够保证两层基板之间除所述围挡结构以外的非显示区域和具有正常气压的外部是相通的,从而防止液晶穿刺。
此外,在本发明所提供的液晶面板的两层基板之间,还可以在非显示区域中设置顶住两层基板的柱状隔垫物,以进一步增大两层基板之间的摩擦力,更加有效地解决基板对位偏移问题,更加显著地提高液晶面板的良品率和画面品质。
附图说明
图1为本发明实施例的液晶面板的立体简图;
图2为本发明一实施例的液晶面板的结构图;
图3为本发明另一实施例的液晶面板的结构图;
附图标记说明:
10、基板;11、基板的显示区域;12、基板的非显示区域;13、围挡结构;14、柱状隔垫物。
具体实施方式
在实际应用时,可以设置如图1所示的液晶面板,该液晶面板包括两层基板10,在基板10上只包含非显示区域12的位置设置有用于与另一基板之间形成带有负压的密闭空间的围挡结构13,使得对盒后的两层基板10因与围挡结构13所共同形成的密闭空间受外界大气压的挤压作用而紧密贴附在一起,增大了两层基板10之间的摩擦力,能有效解决基板对位偏移问题,从而大大提高液晶面板的良品率和画面品质。
并且,在保持围挡结构13内部为负压的前提下,还能够保证两层基板之间除所述围挡结构13以外的非显示区域和具有正常气压的外部是相通的,从而防止液晶穿刺。
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