[发明专利]锗硅HBT晶体管及其版图结构和其制造方法

权利要求书

1.一种锗硅HBT晶体管，包括：位于硅衬底（101）上的隔离区（301），位于隔离区(301)之间的N型注入区（202），位于隔离区(301)下侧N型注入区（202）两侧的N型重掺杂区（201），位于隔离区(301)底侧与N型注入区（202）和N型重掺杂区（201）相接的P型浅埋层（203），位于隔离区(301)和N型注入区（202）上方的锗硅区（402），位于锗硅区（402）上方的氧化隔离物（503），位于氧化隔离物（503）和锗硅区（402）上方的多晶硅层（502），侧墙（401、501）位于锗硅区（402）和多晶硅层（502）的两侧，N型重掺杂区（201）通过深通孔（602）引出形成集电极，锗硅区（402）、多晶硅层（502）通过接触孔（601）引出形成发射机、基极；其特征是：多晶硅层（502）的面积小于锗硅区（402）的面积。

2.如权利要求1所述的锗硅HBT晶体管，其特征是：P型浅埋层（203）掺杂浓度小于N型重掺杂区（201）的掺杂浓度，P型浅埋层（203）在竖直方向距离晶体管顶面的深度小于N型重掺杂区（201）在竖直方向距离晶体管顶面的深度。

3.如权利要求1所述的锗硅HBT晶体管，其特征是：P型浅埋层（203）与N型重掺杂区（201）在竖直方向相交区域的宽度是6um至完全相交。

4.如权利要求1所述的锗硅HBT晶体管，其特征是：N型注入区（202）为中低剂量掺杂，注入的剂量范围为1e¹²cm^-2~8e¹⁴cm^-2。

5.一种如权利要求1-4任意一项所述锗硅HBT晶体管的版图结构，其特征是：N型注入区（202）在版图上是闭合形状图形，能为圆角的矩形、八边形或圆形。

6.一种如权利要求1-4任意一项所述锗硅HBT晶体管的版图结构，其特征是：P型浅埋层（203）在版图上介于N型重掺杂区（201）和N型注入区（202）之间，P型浅埋层（203）在版图是闭合形状图形，能为带角的矩形、八边形或圆形。

7.一种如权利要求6所述锗硅HBT晶体管的版图结构，其特征是：P型浅埋层（203）在版图上是由多段构成的分段式结构，每段P型浅埋层（203）在版图上的长度为0.1um至10um，两段P型浅埋层（203）之间距离为0.1um至10um。

8.一种锗硅HBT晶体管的制造方法，其特征是，包括：

（1）在硅衬底（101）上通过浅槽隔离或场氧隔离技术制造隔离区（301）,注入形成N型重掺杂区（201）；

（2）注入中低掺杂形成N型注入区（202）；

（3）在器件纵向注入形成P型浅埋层（203）；

（4）外延重掺杂的锗硅区（402）；

（5）经过高剂量杂质离子注入并退火激活制造多晶硅层（502），剂量为大于2e¹⁵cm^-2；

（6）将N型重掺杂区（201）通过深接触孔（602）引出，深接触孔（602）中填入钛/氮化钛过渡金属层以及金属钨，引出形成集电极；锗硅区（402）、多晶硅层（502）通过接触孔（601）引出形成发射机、基极。