[发明专利]非易失存储器的擦除方法及系统

权利要求书

1.一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，包括以下步骤：

接收对被选中的存储单元进行擦除操作的指令；

判断存储器中所有存储单元的阈值电压是否小于目标阈值电压，若是，则进行下一步骤，反之，则对所述被选中的存储单元进行预编程操作，所述所有存储单元包括存储中被选中的存储单元和未被选中的存储单元；所述目标阈值电压的取值为：正常擦除状态下阈值电压范围的最小值；

对所述未被选中的存储单元进行修复操作，并重复前一步骤；所述修复操作为对所述未被选中的存储单元进行编程操作，所述编程操作中的编程电压根据所述未被选中的存储单元当前的阈值电压和正常阈值电压确定。

2.如权利要求1所述的非易失存储器的擦除方法，其特征在于，所述目标阈值电压的取值为：

避免产生漏电流的阈值电压范围的最小值。

3.如权利要求2所述的非易失存储器的擦除方法，其特征在于，所述目标阈值电压的取值为：

避免产生漏电流的阈值电压范围的最小值加上弹性值，所述弹性值取值范围为0.1V至0.2V之间。

4.如权利要求1所述的非易失存储器的擦除方法，其特征在于，所述目标阈值电压的取值为0.4V或0.6V。

5.如权利要求1所述的非易失存储器的擦除方法，其特征在于，所述判断存储单元的阈值电压是否小于目标阈值电压包括：

选择一个参考存储单元，所述参考存储单元的阈值电压为目标阈值电压，并给该参考存储单元的字线施加一个参考电压，获得预定的参考电流；

给待校验的各存储单元的字线施加一个正电压，得出该待校验存储单元中的测量电流，其中，该正电压的值与所述给参考存储单元的字线施加的参考电压的值相同；

比较参考电流和测量电流，若测量电流大于参考电流，则存储单元的阈值电压小于目标阈值电压，反之，则大于等于目标阈值电压。

6.一种非易失存储器的擦除系统，其特征在于，包括：

指令接收模块，用于接收对被选中的存储单元进行擦除操作的指令；

校验模块，用于判断存储器中所有存储单元的阈值电压是否小于目标阈值电压，若是，则通知修复模块进行修复操作，反之，则对所述被选中的存储单元进行预编程操作，所述所有存储单元包括存储中被选中的存储单元和未被选中的存储单元；所述目标阈值电压的取值为：正常擦除状态下阈值电压范围的最小值；和

修复模块，用于对所述未被选中的存储单元进行修复操作，并通知校验模块再次校验；所述修复操作为对所述未被选中的存储单元进行编程操作，所述编程操作中的编程电压根据所述未被选中的存储单元当前的阈值电压和正常阈值电压确定。

7.如权利要求6所述的非易失存储器的擦除系统，其特征在于，校验模块包括：

目标阈值电压设定子模块，用于设定目标阈值电压，所述目标阈值电压根据如下至少一种方式确定：

避免产生漏电流的阈值电压范围的最小值；

避免产生漏电流的阈值电压范围的最小值加上弹性值，所述弹性值取值范围为0.1V至0.2V之间。

8.如权利要求7所述的非易失存储器的擦除系统，其特征在于，所述校验模块包括：

电压施加子模块，对参考存储单元及各存储单元施加电压；

电流测量子模块，对参考存储单元的参考电流及各存储单元的测量电流进行测量；

比较子模块，对参考存储单元中产生的参考电流及各存储单元的测量电流进行比较；若测量电流大于参考电流，则存储单元的阈值电压小于目标阈值电压，反之，则大于等于目标阈值电压。