[发明专利]一种NANDFlash存储器、NANDFlash存储器实现方法及其系统

权利要求书

1.一种NAND Flash存储器，其特征在于，所述NAND Flash存储器包括寄存器、比较器、地址译码器和存储阵列；

第一次使用时，预先在所述寄存器中存储所述NAND Flash存储器的存储模式和配置信息，其中所述存储模式包括部分SLC模式部分MLC模式、部分SLC模式部分TLC模式、部分MLC模式部分TLC模式、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式，其中所述配置信息包括存储块的地址和存储块的类型，其中所述存储块类型为SLC类型、MLC类型或TLC类型；

当所述NAND Flash收到读取地址时，用所述比较器将所述读取地址与所述寄存器中的配置信息进行比较，获取所述读取地址对应的存储块的存储模式，所述地址译码器依据所述存储模式对所述读取地址进行译码；

所述存储阵列根据译码后的地址返回对应的数据块的信息；

第一次使用时进一步包括：

若需要用n位地址定位到所述NAND Flash存储器的存储阵列中的存储块，则：

如果所述NAND Flash存储器的存储阵列中配置有包含TLC模式的存储块，用n+2位地址存储各存储块的地址，指定最后两位用于存储TLC模式的存储块的电位信息，进一步指定倒数第二位用于存储MLC模式的存储块的电位信息；

如果所述NAND Flash存储器的存储阵列中没有配置包含TLC模式的存储块而配置有包含MLC模式的存储块时，用n+1位地址存储各存储块的地址，指定最后一位用于存储MLC模式的存储块的电位信息；

如果所述NAND Flash存储器的存储阵列中既没配置包含TLC模式的存储块也没配置有包含MLC模式的存储块时，使用n位数据来存储各存储块的地址。

2.如权利要求1所述的NAND Flash存储器，其特征在于，所述地址译码器依据所述存储模式对所述读取地址进行译码包括：

当所述读取地址为n位时，用所述地址译码器对所述读取地址进行直接译码；

当所述读取地址为n+1位时，若所述存储模式为SLC模式，则将所述读取地址中最后一位设置为无效并用所述地址译码器进行译码，否则，用所述地址译码器对所述读取地址进行直接译码；

当所述读取地址为n+2位时，若所述存储模式为SLC模式，则将所述读取地址中最后两位设置为无效并用所述地址译码器进行译码；若所述存储模式为MLC模式,则将所述读取地址中最后一位设置为无效并用所述地址译码器进行译码；若所述存储模式为TLC模式，则用所述地址译码器对所述读取地址进行直接译码；

所述根据译码后的地址从所述存储阵列中读取信息包括：

计算所述译码后的地址的位数；

若该地址为n位，则该存储块为SLC模式，按该地址直接读取数据；

若该地址为n+1位，则该存储块为MLC模式，按该地址的前n位地址定位到对应块，按最后一位指定的电位信息读取该对应块的所述电位的数据；

若该地址为n+2位，则该存储块为TLC模式，按该地址的前n位地址定位到对应块，按最后两位指定的电位信息读取该对应块的所述电位的数据。

3.如权利要求2所述的NAND Flash存储器，其特征在于，

第一次使用时，将所述存储模式设置为部分SLC模式部分MLC模式，将预先设置为MLC模式的存储块的地址存储在所述寄存器中；

若需要用n位地址定位到所述NAND Flash存储器的存储阵列中的存储块，则用n+1位地址存储各存储块的地址，指定最后一位用于存储MLC模式的存储块的电位信息；

当所述NAND Flash收到读取地址时：

用所述比较器将所述读取地址的前n位与所述寄存器中的存储的地址进行比较，查看所述读取地址是否所述寄存器中，若是，则确定该存储块为MLC模式，否则确定该存储块为SLC模式；

若所述存储模式为SLC模式，则将所述读取地址中最后一位设置为无效并进行译码；若所述存储模式为MLC模式,则直接进行译码，即对AD<n:0>进行译码；

当使用所述译码器获取的译码地址从存储阵列读取信息时，计算该译码地址的位数，

若该地址为n位，则该存储块为SLC模式，按该地址直接读取数据；

若该地址为n+1位，则该存储块为MLC模式，按该地址的前n位地址定位到对应块，按最后一位指定的电位信息读取该对应块的所述电位的数据。