[发明专利]薄铜DBC基板的制作方法在审
申请号: | 201210461673.8 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN102931321A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 祝林;贺贤汉 | 申请(专利权)人: | 上海申和热磁电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人: | 赵青 |
地址: | 200444 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄铜 dbc 制作方法 | ||
1.薄铜DBC基板的制作方法,包括如下步骤:
第一步,用清洗液对陶瓷基板及铜片进行清洗;
第二步,对铜片进行氧化;
第三步,将第一铜片、第二铜片依次烧结到陶瓷基板上。
2.根据权利要求1所述的薄铜DBC基板的制作方法,其特征在于,所述清洗液为酸碱溶液或去离子水。
3.根据权利要求1所述的薄铜DBC基板的制作方法,其特征在于,所述第一铜片及所述第二铜片的氧化温度为500℃~900℃,氧化时间为10min~30min,氧化气氛为氮气保护下的氧化气氛,其中氧含量为50ppm~3000ppm。
4.根据权利要求1所述的薄铜DBC基板的制作方法,其特征在于,所述第一铜片的烧结温度为1060℃~1075℃,烧结时间为20min~35min,气氛为氮气保护的氧化气氛,其中氧含量为5ppm~40ppm。
5.根据权利要求1所述的薄铜DBC基板的制作方法,其特征在于,所述第二铜片的烧结温度为1065℃~1080℃,烧结时间为20min~35min,气氛为氮气保护的氧化气氛,其中氧含量为5ppm~40ppm。
6.根据权利要求1所述的薄铜DBC基板的制作方法,其特征在于,所述第一铜片及所述第二铜片的厚度为0.06mm。
7.根据权利要求1所述的薄铜DBC基板的制作方法,其特征在于,所述陶瓷基板的厚度为0.25mm。
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