[发明专利]一种氧化铟锡薄膜的处理工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种氧化铟锡薄膜的处理工艺，属于半导体领域。 

背景技术

在氧化铟锡薄膜的生产过程中，不可避免的会在氧化铟锡薄膜的表面产生有机污染物，这些有机污染物很难处理，因此会影响着氧化铟锡薄膜的表面空穴及表面功函数，影响着氧化铟锡薄膜的质量。 

发明内容

本发明针对现有技术存在的不足，提供一种氧化铟锡薄膜的处理工艺。 

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种氧化铟锡薄膜的处理工艺，其特征在于，所述工艺方法如下： 

（1）将氧化铟锡薄膜放入盛有异丙醇的烧杯中浸泡15分钟； 

（2）浸泡完后，放入超声机中超声5分钟； 

（3）取出氧化铟锡薄膜，将其放入20%浓度的磷酸溶液中浸泡15分钟； 

（4）取出氧化铟锡薄膜，用去离子水冲洗。 

本发明的有益效果是：本发明方法能够使氧化铟锡薄膜的表面电阻基本保持不变，但表面更加平整，透光率不变，更加适宜用作OLEDs的基底；经过浓度为20%磷酸处理后的器件，其发光效率更高。 

具体实施方式

以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。 

一种氧化铟锡薄膜的处理工艺，其特征在于，所述工艺方法如下： 

（1）将氧化铟锡薄膜放入盛有异丙醇的烧杯中浸泡15分钟； 

（2）浸泡完后，放入超声机中超声5分钟； 

（3）取出氧化铟锡薄膜，将其放入20%浓度的磷酸溶液中浸泡15分钟； 

（4）取出氧化铟锡薄膜，用去离子水冲洗。 

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。