[发明专利]一种生产多晶硅的还原炉无效

专利信息
申请号: 201210462045.1 申请日: 2012-11-04
公开(公告)号: CN102923708A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 张海峰 申请(专利权)人: 张海峰
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021
代理公司: 乌海市知新专利事务所 15104 代理人: 靳红霞
地址: 016064 内蒙古自治区鄂尔多*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 生产 多晶 还原
【说明书】:

技术领域:

发明涉及生产多晶硅的还原炉。

背景技术:

生产多晶硅是一个高耗能的行业,其中用于生产多晶硅的还原炉是耗能的关键环节。还原炉的能耗主要体现在炉内热量的损失。还原炉的炉壁一般为水夹套或油夹套结构,炉壁损失掉炉内很大一部分热量。在运行或停炉过程中,经常发生的硅棒倒棒会冲击炉体,缩短还原炉使用寿命。在生产中还会在炉体内壁产生无用的物质或污垢,需要经常清理,费时费力。清洗还原炉经常会用到一些化学液体,对炉体内壁有一定腐蚀作用,又降低了还原炉的使用寿命。

发明内容:

本发明的目的在于提供一种能耗低、使用寿命长,内壁清洁的生产多晶硅的还原炉。

本发明生产多晶硅的还原炉,炉体包括炉筒、底盘,底盘上具有电极,所述炉筒内壁上固定有阻辐射抗力冲击屏,所述的屏与炉筒内壁间具有间隙。

所述底盘上固定有阻辐射抗力冲击屏,所述的屏与所述底盘间具有间隙。

所述的屏分块固定在炉筒内壁或底盘上。

所述的炉筒设有氢气注入孔。

所述的氢气注入孔设在炉筒的下部。

所述的屏材质为氮化硅或碳化硅。

所述的屏通过螺栓固定在炉筒内壁或底盘上。

所述螺栓材质为钼。

螺栓外端面相对于阻辐射抗力冲击屏的表面呈嵌入式。

本发明在炉筒和底盘上设了阻辐射抗力冲击屏,所述的屏为分块布置,屏与炉筒内壁间具有间隙,屏的材质选用了耐高温、耐腐蚀、抗强力冲击的材料氮化硅或碳化硅,阻辐射抗力冲击屏阻止了热量向炉筒壁的辐射,避免了通过水夹套或油夹套炉筒散失的大量热量,达到了节能降耗的目的。硅棒倒棒时阻辐射抗力冲击屏承接了硅棒的冲击,避免了对炉筒的损坏,延长了还原炉使用寿命。阻辐射抗力冲击屏分块安装,可以随时更换损坏的屏,节约了成本,经济方便。运行中阻辐射抗力冲击屏处于相对高温状态,不会在屏的表面产生污垢和废物,而会形成一层多晶硅膜,大大降低了还原炉的清洁次数,减轻劳动强度,提高生产效率。炉筒设有氢气注入孔,由此持续注入高纯度氢气,氢气在炉筒内壁与阻辐射抗力冲击屏之间缓慢流动,阻止炉内反应气体接触炉筒内壁与阻辐射抗力冲击屏的背侧,更好地避免了产生污垢与废物,进一步保证了还原炉的清洁。钼螺栓抗高温、抗腐蚀,在炉内环境中起到很好的连接固定作用。螺栓外端面相对于屏的表面呈嵌入式,使得螺栓端面相对于屏表面呈现为一个凹坑,降低了螺栓端面产生多晶硅膜的机率,使得拆取螺栓比较方便。本发明结构简单,大大降低生产多晶硅的能耗,炉体使用寿命长,不需要经常清洗炉壁,工作效率高,运行成本低。

附图说明:

图1为本发明结构示意图。

图2为阻辐射抗力冲击屏与炉筒通过螺栓固定的结构示意图。

图3为本发明炉顶结构示意图。

图4为本发明底盘结构示意图。

具体实施方式:

下面结合附图对本发明作进一步说明。

图中:1-炉筒,2-底盘,3-阻辐射抗力冲击屏,4-螺栓,5-氢气注入孔。

如图1、图3、图4所示,阻辐射抗力冲击屏3通过螺栓4固定在包括炉顶的炉筒1及底盘2上,阻辐射抗力冲击屏3与炉筒及底盘间具有一定的间隙,如图2所示。如图1所示,炉筒下部设有氢气注入孔5,注入的氢气在阻辐射抗力冲击屏3与炉筒或底盘的间隙中缓慢流动。阻辐射抗力冲击屏3为分块结构便于更换损坏的屏。阻辐射抗力冲击屏3材质选用抗高温、抗腐蚀、抗强力冲击的材料,如采用氮化硅或碳化硅等。螺栓采用钼质螺栓是优选方案。

如图2所示,钼螺栓把阻辐射抗力冲击屏3与炉筒或底盘固定好后,钼螺栓的外端面较阻辐射抗力冲击屏3的表面呈嵌入式。

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