[发明专利]具有后偏置磁体和半导体芯片元件的设备

权利要求书

1.设备，具有：

后偏置磁体(700)，

半导体芯片元件(100)，

其中，半导体芯片元件(100)具有用于测量磁场强度的传感器(200)，并且其中在后偏置磁体(700)的接触侧和半导体芯片元件的接触侧构成接触面，并且其中半导体芯片元件(100)的接触侧如此具有一个或者多个结构，使得后偏置磁体(700)的接触面相应于半导体芯片元件的结构形成。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，后偏置磁体(700)的接触面相应于半导体芯片元件(100)的结构形成，并且半导体芯片元件(100)和后偏置磁体(700)在接触面处由此彼此固定地连接。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，半导体芯片元件(100)的结构借助蚀刻构成。

4.根据权利要求1或2所述的设备，其中，后偏置磁体(700)具有磁化的材料。

5.根据权利要求1到4之一所述的设备，其中，由后偏置磁体(700)产生的磁力线可借助半导体芯片元件(100)的结构的造型调整。

6.根据权利要求4或5所述的设备，其中，可磁化的材料具有永磁性粒子、软磁性粒子和/或硬磁性粒子。

7.根据权利要求1到6之一所述的设备，其中，该设备具有与半导体芯片元件(100)电连接的接触元件。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，半导体芯片元件借助线接合或者焊料球被接触。

9.根据权利要求1到8之一所述的设备，其中，传感器具有GMR传感器、霍尔传感器、磁阻、巨磁阻或者各向异性磁阻。

10.根据上述权利要求之一所述的设备，其中，该设备具有磁透镜(800)，其中该磁透镜被设立用于加强由后偏置磁体(700)产生的磁力线。

11.用于制造设备的方法，具有下面的步骤：

提供半导体芯片元件(100)，其中该半导体芯片元件(100)具有用于测量磁场强度的传感器(200)；并且其中在半导体芯片元件(100)的接触侧处构成一个或者多个结构；并且

如此产生后偏置磁体(700)，使得在后偏置磁体的接触侧和半导体芯片元件的接触侧处构成接触面，以便相应于半导体芯片元件的结构形成后偏置磁体(700)的接触面。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，后偏置磁体(700)的产生包括在半导体芯片元件(100)的接触侧上喷射物质。

13.根据权利要求之一11或12所述的方法，其中，该方法还包括分离半导体芯片元件(100)。

14.根据权利要求11到13之一所述的方法，其中，该方法包括借助于在半导体芯片元件(100)的接触侧处去除材料产生一个或者多个结构。

15.根据权利要求11到14之一所述的方法，其中，用于定义分离的结构至少部分地通过半导体芯片元件(100)的接触侧处的一个或者多个结构构成。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，与去除材料一起产生用于定义分离边的另一结构。

17.根据权利要求11到16之一所述的方法，其中，在半导体芯片元件(100)中在传感器(200)和一个或者多个结构之间布置磁透镜(800)。