[发明专利]运算放大器有效

专利信息
申请号: 201210462250.8 申请日: 2012-11-16
公开(公告)号: CN103825565B 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: 朱红卫;唐敏;刘国军 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 运算放大器
【权利要求书】:

1.一种运算放大器,其特征在于,包括:两级放大电路、双共模反馈电路和偏置电路;

所述两级放大电路的第一级为折叠式共源共栅全差分放大电路,第二级为共源全差分放大电路;

所述折叠式共源共栅全差分放大电路包括差分输入电路和共栅放大电路;

所述差分输入电路包括第一PMOS管和第二PMOS管组成的差分对管,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极连接在一起,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极为差分电压输入信号的输入端,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极分别输出两路差分电流信号;

所述共栅放大电路包括两个栅极连接在一起的第一NMOS管和第二NMOS管,由所述第一PMOS管和所述第一NMOS管组成第一折叠式共源共栅结构支路,由所述第二PMOS管和所述第二NMOS管组成第二折叠式共源共栅结构支路,所述第一NMOS管接收由所述第一PMOS管的漏极输出的所述差分电流信号,所述第二NMOS管接收由所述第二PMOS管的漏极输出的所述差分电流信号,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的漏极输出一对差分第一输出信号;

所述共源全差分放大电路的输入端接收两个所述差分第一输出信号,所述共源全差分放大电路的输出端输出一对差分第二输出信号;所述共源全差分放大电路的两个差分支路的输出端和输入端之间分别串联有电容和电阻,用于实现米勒补充;

所述双共模反馈电路包括两个分支电路,第一分支电路包括两个差分输入端,该两个差分输入端分别接收所述差分第一输出信号中的一个,两个所述差分第一输出信号和第一参考信号进行比较并输出第一共模反馈电压到所述共栅放大电路中用于稳定所述共栅放大电路的共模输出电压;第二分支电路的输入端接收由两个所述差分第二输出信号分压得到的共模信号,将该共模信号和第二参考电压信号进行比较并输出第二共模反馈电压到所述共源全差分放大电路中用于稳定所述共源全差分放大电路的共模输出电压;

所述偏置电路用于为所述两级放大电路和所述双共模反馈电路提供偏置电压,所述偏置电路提供的偏置电压能使所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的工作于饱和区边缘并使所述差分第一输出信号的摆幅达到最大。

2.如权利要求1所述运算放大器,其特征在于:所述差分输入电路的第一PMOS管和第二PMOS管的源极和第三PMOS管的漏极相连,所述第三PMOS管的源极接正电源,所述第三PMOS管的栅极接第二偏置电压;

所述第一PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极相连,所述第二PMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极相连,所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极都接地或负电源,所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极都连接第三偏置电压。

3.如权利要求1所述运算放大器,其特征在于:所述第一NMOS管的源极和第五NMOS管的漏极相连,所述第二NMOS管的源极和第六NMOS管的漏极相连,所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的源极都接地或负电源,所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的栅极都连接所述第一共模反馈电压;

所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极都连接第四偏置电压;

所述第一NMOS管的漏极和第四PMOS管的漏极相连,所述第二NMOS管的漏极和第五PMOS管的漏极相连,所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的栅极都连接第一偏置电压;

所述第四PMOS管的源极和第六PMOS管的漏极相连,所述第五PMOS管的源极和第七PMOS管的漏极相连,所述第六PMOS管和所述第七PMOS管的栅极都连接第二偏置电压,所述第六PMOS管和所述第七PMOS管的源极都连接正电源。

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