[发明专利]三维集成电路及其制作方法在审
申请号: | 201210462359.1 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN103579208A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 黄财煜 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/48;H01L21/98;H01L21/768 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张艳杰;张浴月 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维集成电路 及其 制作方法 | ||
1.一种三维集成电路,包括:
一第一中介层,包括穿基底插塞位于其中,和电路位于其上;
多个第一有源管芯,位于该第一中介层的一第一侧上方;
多个包括穿基底插塞的第一中间中介层,位于该第一中介层的该第一侧上方;及
一第二中介层,包括穿基底插塞位于其中,和电路位于其上,其中该第一中间中介层支撑该第二中介层。
2.如权利要求1所述的三维集成电路,还包括多个焊料凸块,位于该第一中介层的一第二侧上。
3.如权利要求1所述的三维集成电路,还包括多个第二有源管芯,位于该第二中介层的一第一侧上方。
4.如权利要求3所述的三维集成电路,其中该第一有源管芯经该第一中介层上的电路、该第一中间中介层中的穿基底插塞、该第二中介层中的穿基底插塞和该第二中介层上的电路电性连接该第二有源管芯。
5.如权利要求3所述的三维集成电路,还包括多个具有穿基底插塞的第二中间中介层,位于该第二中介层的第一侧上方。
6.如权利要求5所述的三维集成电路,还包括一第三中介层被该第二中间中介层支撑,该第三中介层具有穿基底插塞,位于其中,和电路,位于其上。
7.如权利要求6所述的三维集成电路,还包括多个第三有源管芯和包括穿基底插塞的第三中间中介层,位于该第三中介层的第一侧上方。
8.如权利要求7所述的三维集成电路,还包括一第四中介层被该第三中间中介层支撑,该第四中介层具有穿基底插塞位于其中,和电路,位于其上。
9.如权利要求8所述的三维集成电路,还包括多个第四有源管芯和包括穿基底插塞的第四中间中介层,位于该第四中介层的第一侧上方。
10.如权利要求1所述的三维集成电路,其中该第一有源管芯和该第二有源管芯具有不同的功能。
11.如权利要求1所述的三维集成电路,还包括多个第二有源管芯,位于该第二中介层的第一侧上方,和多个第三有源管芯,位于该第二中介层的第二侧上方。
12.如权利要求11所述的三维集成电路,其中该第一中间中介层的厚度大于该第一有源管芯的厚度。
13.如权利要求11所述的三维集成电路,还包括多个第二中间中介层,位于该第二中介层的第一侧上方。
14.如权利要求13所述的三维集成电路,还包括一第三中介层被该第二中间中介层支撑,该第三中介层具有穿基底插塞,位于其中,和电路,位于其上。
15.如权利要求14所述的三维集成电路,还包括多个第四有源管芯和第五有源管芯,所述多个第四有源管芯位于该第三中介层的第一侧上方,所述多个第五有源管芯位于该第三中介层的第二侧上方。
16.一种三维集成电路的制作方法,包括:
提供一第一中介层,包括穿基底插塞,位于其中,和电路,位于其上;
将多个第一有源管芯接合该第一中介层的第一侧;
将多个包括穿基底插塞的第一中间中介层接合该第一中介层的该第一侧;及
将一第二中介层接合该第一中间中介层,其中该第二中介层包括穿基底插塞位于其中,和电路,位于其上。
17.如权利要求16所述的三维集成电路的制作方法,还包括将多个第二有源管芯和多个第二中间中介层接合该第二中介层的第一侧。
18.如权利要求17所述的三维集成电路的制作方法,其中该第一有源管芯和该第二有源管芯具有不同的功能。
19.如权利要求16所述的三维集成电路的制作方法,还包括将多个第二有源管芯设置于该第二中介层的第一侧,和将多个第三有源管芯设置于该第二中介层的第二侧。
20.如权利要求16所述的三维集成电路的制作方法,其中该第一中间中介层的厚度大于该第一有源管芯的厚度。
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