[发明专利]带隙基准电路和电源电路

权利要求书

1.一种带隙基准电路，包括：

第一双极晶体管和第二双极晶体管，所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管连接在第一电源端子和第二电源端子之间，所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管的每个基极都连接至输出端子；

第一电阻器，所述第一电阻器连接在所述第二电源端子和所述第一双极晶体管之间；

第二电阻器和第三电阻器，所述第二电阻器和所述第三电阻器串联连接在所述第一电阻器在所述第一双极晶体管的一端和所述第二双极晶体管之间；以及

第一温度校正电路，所述第一温度校正电路连接在所述第二电源端子和所述第二电阻器与所述第三电阻器之间的节点之间，其中，

所述第一温度校正电路包括：

第一晶体管，所述第一晶体管连接在所述第二电源端子和所述第二电阻器与所述第三电阻器之间的所述节点之间，所述第一晶体管的基极连接至所述第一电阻器的所述第一双极晶体管的一端；以及

第四电阻，所述第四电阻串联连接在所述第一晶体管和所述第二电源端子之间。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其中，所述第二双极晶体管的电流密度大于所述第一双极晶体管的电流密度。

3.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其中，所述第四电阻器是固定电阻器。

4.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其中，所述第四电阻是可变电阻器。

5.根据权利要求1所述的带隙基准电路，进一步包括：第五电阻器，所述第五电阻器连接在所述第一电阻器和所述第二电源端子之间，

其中，所述第一温度校正电路进一步包括：

第二晶体管，所述第二晶体管连接在所述第二电源端子和所述第二电阻器和所述第三电阻器之间的所述节点之间，所述第二晶体管的基极连接至在所述第一电阻器和所述第五电阻器之间的节点；以及

第六电阻器，所述第六电阻器串联连接在所述第二晶体管和所述第二电源端子之间。

6.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其中，所述第六电阻器是固定电阻器。

7.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其中，所述第六电阻器是可变电阻器。

8.根据权利要求1所述的带隙基准电路，进一步包括：放大器，所述放大器具有连接至所述第一双极晶体管的所述第一电源端子的一端以及所述第二双极晶体管的所述第一电源端子的一端的输入、以及连接至所述输出端子的输出。

9.一种电源电路，包括：

根据权利要求1所述的带隙基准电路；以及

第二温度校正电路和升压单元，所述第二温度校正电路和所述升压单元设置在所述带隙基准电路和所述输出端子之间，其中，

所述升压单元包括：

第一升压电阻器，所述第一升压电阻器连接在所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管的每个基极与所述输出端子之间；以及

第二升压电阻器，所述第二升压电阻器连接在所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管的每个基极与所述第二电源端子之间，并且

所述第二温度校正电路包括：

第三双极晶体管，所述第三双极晶体管连接在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间，所述第三双极晶体管的基极连接至在所述第一升压电阻器和所述第二升压电阻器之间的节点；以及

第七电阻器，所述第七电阻器在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间串联连接至所述第三双极晶体管。

10.根据权利要求9所述的电源电路，其中，所述第七电阻器是固定电阻器。

11.根据权利要求9所述的电源电路，其中，所述第七电阻器是可变电阻器。

12.根据权利要求9所述的电源电路，其中，

所述升压单元进一步包括第三升压电阻器，所述第三升压电阻器连接在所述第一升压电阻器和所述输出端子之间，并且

所述第二温度校正电路包括：

第四双极晶体管，所述第四双极晶体管连接在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间，所述第四双极晶体管的基极连接至在所述第一升压电阻器和所述第三升压电阻器之间的节点，

第八电阻器，所述第八电阻器在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间串联连接至所述第四双极晶体管。

13.根据权利要求12所述的电源电路，其中，所述第八电阻器是固定电阻器。

14.根据权利要求12所述的电源电路，其中，所述第八电阻器是可变电阻器。