[发明专利]一种反应腔室和MOCVD设备有效
申请号: | 201210464900.2 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN103820769A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 涂冶 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/458;C23C16/30 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反应 mocvd 设备 | ||
1.一种反应腔室,其特征在于,所述反应腔室包括托盘装置,所述托盘装置包括大托盘、旋转轴、小托盘、以及支撑盘;其中,
所述旋转轴与所述大托盘的中心相连接并带动所述大托盘以所述旋转轴为中心进行旋转;
所述大托盘上设置有托盘槽,所述托盘槽用于放置所述小托盘;
所述支撑盘位于所述大托盘的下方,所述支撑盘和所述小托盘之间设置有滑动机构,以使得所述小托盘在随着大托盘进行公转的同时,在所述滑动机构的作用下进行自转。
2.如权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,
所述滑动机构包括第一滑动凹槽和滑动销,所述第一滑动凹槽形成于所述支撑盘的上表面,所述滑动销的上端与所述小托盘上中心位置之外的第一位置固定连接,所述滑动销的下端滑动连接至所述第一滑动凹槽,并且所述滑动销能够沿所述第一滑动凹槽进行运动;其中,
所述第一滑动凹槽是闭合的,并且所述第一滑动凹槽上的任意一点与第一轨迹之间的距离小于或等于所述第一位置与小托盘的中心之间的距离,且所述第一滑动凹槽上至少存在一点距离第一轨迹的距离小于所述第一位置与小托盘的中心之间的距离;其中,所述第一轨迹是小托盘的中心在大托盘旋转时所形成的运动轨迹。
3.如权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,
所述滑动机构包括第二滑动凹槽和滑动凸台,所述滑动凸台形成于所述支撑盘的上表面,所述第二滑动凹槽形成于所述小托盘的底部,所述滑动凸台的上端与所述第二滑动凹槽滑动连接,当所述小托盘随大托盘的运动而运动时,所述滑动凸台能够沿所述第二滑动凹槽与所述第二滑动凹槽进行相对运动。
4.如权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述第一滑动凹槽的形状为所述第一位置的运动轨迹,所述第一位置的坐标(X1,Y1)关于时间t的表达式为:
X1=R1×cos(2×pi×V1×t)+D1×cos(2×pi×V2×t);
Y1=R1×sin(2×pi×V1×t)+D1×sin(2×pi×V2×t);
其中,设置大托盘中心为坐标原点,R1为小托盘的中心和大托盘的中心之间的距离,D1为所述第一位置与小托盘的中心之间的距离,V1为大托盘的旋转速度,V2为小托盘的自转速度;并且,V2为V1的整数倍,或V1为V2的整数倍。
5.如权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述第一滑动凹槽为圆形,所述圆形的半径等于所述小托盘的中心与反应腔室中心之间的距离,且所述圆形的圆心与所述第一轨迹的中心之间的距离等于所述第一位置与小托盘的中心之间的距离。
6.如权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述第一滑动凹槽由多个圆弧组成。
7.如权利要求6所述的反应腔室,其特征在于,其中,各个圆弧的直径是根据预先设定的运动经过点所设置的,其中,运动经过点是根据预先设定的大托盘和小托盘的旋转圈数之间的关系所确定的。
8.如权利要求6所述的反应腔室,其特征在于,由多个圆弧组成的第一滑动凹槽的侧壁是光滑的。
9.如权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述滑动销与所述小托盘一体成形。
10.如权利要求3所述的反应腔室,其特征在于,所述滑动凸台与所述支撑盘一体成形。
11.如权利要求1-10中任一项所述的反应腔室,其特征在于,所述小托盘的数目为N个,所述大托盘上设置有N个托盘槽,托盘槽分别与小托盘一一对应,N为大于1的正整数。
12.如权利要求1-10中任一项所述的反应腔室,其特征在于,与小托盘连接的滑动销的数目为M个,且所述支撑盘上形成的第一滑动凹槽的数目为M个,M个第一滑动凹槽与M个滑动销分别一一对应,其中,M为大于1的正整数。
13.如权利要求12所述的反应腔室,其特征在于,M为小于5的正整数。
14.如权利要求1-10中任一项所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室中设置有多层垂直排列的所述托盘装置。
15.一种MOCVD设备,其特征在于,所述MOCVD设备包括如权利要求1-14中任意一项所述的反应腔室。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210464900.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的