[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201210465328.1 申请日: 2012-11-16
公开(公告)号: CN102998865A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 郭明周;朴承翊;杨玉清;石天雷 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括:显示区和外围布线区,所述外围布线区形成有栅引线和数据引线,所述栅引线连接所述显示区的栅线,所述数据引线连接所述显示区的数据线,其特征在于,

所述栅引线包括第一栅引线和第二栅引线,所述第一栅引线与所述栅线同层设置,所述第二栅引线与所述数据线同层设置,所述第一栅引线和所述第二栅引线通过第一过孔连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,

第n条栅引线中,所述第一栅引线在所述第二栅引线和所述栅线之间,所述第一栅引线直接与所述栅线连接;

与所述第n条栅引线相邻的第n+1条栅引线中,所述第二栅引线在所述第一栅引线和所述栅线之间,所述第二栅引线通过第三过孔与所述栅线连接。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,

所述数据引线包括第一数据引线和第二数据引线,所述第一数据引线与所述第一栅引线同层设置,所述第二数据引线与所述第二栅引线同层设置,所述第一数据引线和所述第二数据引线通过第二过孔连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,

第n条数据引线中,所述第一数据引线在所述第二数据引线和所述数据线之间,所述第一数据引线通过第四过孔与所述数据线连接;

与所述第n条数据引线相邻的第n+1条数据引线中,所述第二数据引线在所述第一数据引线和所述数据线之间,所述第二数据引线直接与所述数据线连接。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅引线和所述第二栅引线的长度相等,所述第一数据引线和所述第二数据引线的长度相等。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,

所述第一栅引线和所述第一数据引线的材料为AlNd或Mo,所述第二栅引线和所述第二数据引线的材料为Mo。

7.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

在基板上制作第一金属薄膜,通过构图工艺至少形成第一栅引线和栅线;

在上述基板上制作绝缘薄膜,通过构图工艺形成至少包含有第一过孔的绝缘层;

在形成有所述绝缘层的基板上制作第二金属薄膜,通过构图工艺至少形成第二栅引线和数据线;其中,所述第一栅引线和所述第二栅引线通过第一过孔连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述在上述基板上制作绝缘薄膜,通过构图工艺形成至少包含有第一过孔的绝缘层包括:

在上述基板上制作绝缘薄膜,通过构图工艺形成至少包含有第一过孔和第三过孔的绝缘层;

其中,第n条所述栅引线中,所述第一栅引线在所述第二栅引线和所述栅线之间,所述第一栅引线直接与所述栅线连接;与所述第n条栅引线相邻的第n+1条所述栅引线中,所述第二栅引线在所述第一栅引线和所述栅线之间,所述第二栅引线通过第三过孔与所述栅线连接。

9.根据权利要求7或8所述的制作方法,其特征在于,所述在基板上制作第一金属薄膜,通过构图工艺至少形成第一栅引线和栅线,包括:

在基板上制作第一金属薄膜,通过构图工艺形成包括第一栅引线、第一数据引线以及栅线的图案;

所述在上述基板上制作绝缘薄膜,通过构图工艺形成至少包含有第一过孔的绝缘层,包括:

在上述基板上制作绝缘薄膜,通过构图工艺形成包括第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔的绝缘层;

所述在形成有所述绝缘层的基板上制作第二金属薄膜,通过构图工艺至少形成第二栅引线和数据线,包括:

在形成有所述绝缘层的基板上制作第二金属薄膜,通过构图工艺形成包括第二栅引线、第二数据引线以及数据线的图案;

其中,第n条数据引线中,所述第一数据引线在所述第二数据引线和所述数据线之间,所述第一数据引线通过第四过孔与所述数据线连接;与所述第n条数据引线相邻的第n+1条数据引线中,所述第二数据引线在所述第一数据引线和所述数据线之间,所述第二数据引线直接与所述数据线连接。

10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1~6任一项所述的阵列基板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210465328.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top