[发明专利]一种晶体硅光伏组件及其盖板无效
申请号: | 201210465451.3 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN102916070A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 胡国波;刘亚锋 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/048 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 硅光伏 组件 及其 盖板 | ||
技术领域
本发明涉及光伏组件制造技术领域,特别涉及一种晶体硅光伏组件用盖板。本发明还涉及一种应用该盖板的晶体硅光伏组件。
背景技术
利用光生伏特效应将光能转化为电能是太阳能电池的基本原理,而晶体硅光伏组件作为太阳能电池的主要组成部件,其使用性能也受到了越来越高的要求。
目前现有的晶体硅光伏组件,其盖板表面通常为平面结构,阳光透过盖板照射在下层的电池片上,以完成光能的吸收和转换。然而,虽然该种结构的盖板能够满足晶体硅光伏组件的基本使用需要,但由于其平面结构的受光角度单一,而阳光的入射角度是随时变化的,因此太阳光在盖板处极易形成光反射,导致光照损失,并使得晶体硅光伏组件的整体光照利用率低下。
因此,如何提高晶体硅光伏组件的光照利用率,减少其光照损失是本领域技术人员目前需要解决的重要技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶体硅光伏组件用盖板,该盖板能够有效提高晶体硅光伏组件的光照利用率,减少其光照损失。本发明的另一目的是提供一种应用上述盖板的晶体硅光伏组件。
为解决上述技术问题,本发明提供一种盖板,用于晶体硅光伏组件,所述盖板的上表面具有若干凸起,所述凸起为半球形,且各所述凸起沿所述盖板的上表面的长度方向及其宽度方向依次均布。
优选地,所述盖板具体为低铁超白钢化玻璃。
优选地,所述凸起的直径具体为3毫米~8毫米。
本发明还提供一种晶体硅光伏组件,包括自上而下依次设置的盖板、太阳能电池片和背板,所述盖板与所述太阳能电池片之间以及所述太阳能电池片与所述背板之间通过乙烯-醋酸乙烯共聚物相粘接,且所述盖板具体为上述任一项所述的盖板。
相对上述背景技术,本发明所提供的盖板,用于晶体硅光伏组件,所述盖板的上表面具有若干凸起,所述凸起为半球形,且各所述凸起沿所述盖板的上表面的长度方向及其宽度方向依次均布。工作过程中,所述凸起能够有效吸收不同角度入射的太阳光,以便太阳光在所述盖板的上表面形成漫反射,从而显著降低了因反射造成的光照损失,有效提高太阳光的光照利用率,并使所述晶体硅光伏组件在不同角度的光照入射条件下的光照利用率得以相应提高。
在本发明的另一优选方案中,所述盖板具体为低铁超白钢化玻璃。该种低铁超白钢化玻璃的光照透射率高,能够进一步提高所述盖板的光照利用率,且其市场供应量较大,采购方便,从而使得所述晶体硅光伏组件及其盖板的制造成本得以相应降低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种具体实施方式所提供的晶体硅光伏组件的盖板部分的结构示意图。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种晶体硅光伏组件用盖板,该盖板能够有效提高晶体硅光伏组件的光照利用率,减少其光照损失;同时,提供一种应用上述盖板的晶体硅光伏组件。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
请参考图1,图1为本发明一种具体实施方式所提供的晶体硅光伏组件的盖板部分的结构示意图。
在具体实施方式中,本发明所提供的盖板,用于晶体硅光伏组件,所述盖板的上表面具有若干凸起11,凸起11为半球形,且各凸起11沿所述盖板的上表面的长度方向及其宽度方向依次均布。工作过程中,凸起11能够有效吸收不同角度入射的太阳光,以便太阳光在所述盖板的上表面形成漫反射,从而显著降低了因反射造成的光照损失,有效提高太阳光的光照利用率,并使所述晶体硅光伏组件在不同角度的光照入射条件下的光照利用率得以相应提高。
进一步地,所述盖板具体为低铁超白钢化玻璃。该种低铁超白钢化玻璃的光照透射率高,能够进一步提高所述盖板的光照利用率,且其市场供应量较大,采购方便,从而使得所述晶体硅光伏组件及其盖板的制造成本得以相应降低。
另一方面,凸起11的直径具体为3毫米~8毫米。具体到实际的生产操作过程中,该凸起11的直径一般为5毫米,具有该种直径的凸起11能够更好地吸收光照,保证所述盖板的光照穿透率,从而使得所述晶体硅光伏组件的整体光照利用率得以进一步提高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的