[发明专利]用于异构集成技术的晶圆级封装的方法和装置

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一芯片，由第一技术制成并具有第一接触焊盘；

第二芯片，由不同于所述第一技术的第二技术制成并具有第二接触焊盘；

模制材料，封装所述第一芯片和所述第二芯片；以及

钝化后互连(PPI)线，位于所述模制材料上方，并且所述PPI线通过第一连接件与所述第一接触焊盘连接以及通过第二连接件与所述第二接触焊盘连接，其中，所述第一连接件是第一类型而所述第二连接件是不同于所述第一类型的第二类型，两种类型都选自基本上由导电球、导电通孔或者导电柱所组成的组。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一技术选自基本上由CMOS芯片、GaAs芯片、SiGe芯片和集成无源器件(IPD)所组成的组。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一芯片选自基本上由CMOS处理器芯片、GaAs光电器件、SiGe BiCMOS模拟/数字转换器以及包括多个电阻器、电感器和电容器的IPD所组成的组。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，连接所述PPI线和所述第一接触焊盘的所述第一连接件是具有大于约30um的高度和大于约70um的宽度的Cu球。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，连接所述PPI线和所述第一接触焊盘的所述第一连接件是具有大于约10um的高度和大于约30um的宽度的Cu通孔。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，连接所述PPI线和所述第一接触焊盘的所述第一连接件是具有约10um至20um的高度和大于约50um的宽度的Cu柱。

7.根据权利要求1所述的器件，进一步包括凸块底部金属(UBM)层，与所述PPI线接触并且形成在所述PPI线上方的聚合物层的开口上。

8.根据权利要求7所述的器件，其中，所述UBM层包括选自基本上由铜、银、铬、镍、锡、金和它们的组合所组成的组中的材料。

9.一种形成器件的方法，包括：

提供由第一技术制成且具有第一接触焊盘的第一芯片；

提供由不同于所述第一技术的第二技术制成且具有第二接触焊盘的第二芯片；

在所述第一接触焊盘上形成第一连接件以及在所述第二接触焊盘上形成第二连接件，其中，所述第一连接件是第一类型而所述第二连接件是不同于所述第一类型的第二类型，两种类型都选自基本上由导电球、导电通孔或者导电柱所组成的组；

通过模制材料封装所述第一芯片和所述第二芯片；以及

在所述模制材料上形成连接至所述第一连接件和所述第二连接件的钝化后互连(PPI)线。

10.一种器件，包括：

第一芯片，由第一技术制成并具有第一接触焊盘，其中，位于所述第一接触焊盘上方的第一钝化层具有暴露所述第一接触焊盘的开口；

第二芯片，由不同于所述第一技术的第二技术制成并具有第二接触焊盘，其中，位于所述第二接触焊盘上方的第二钝化层具有暴露所述第二接触焊盘的开口；

第一连接件和第二连接件，所述第一连接件位于所述第一接触焊盘上且所述第二连接件位于所述第二接触焊盘上，其中，所述第一连接件是第一类型而所述第二连接件是不同于所述第一类型的第二类型，两种类型都选自基本上由导电球、导电通孔或者导电柱所组成的组；

模制材料，将所述第一芯片和所述第二芯片封装在一起，同时暴露所述第一连接件和所述第二连接件；

聚合物层，位于所述模制材料上并具有暴露所述第一连接件的第一开口和暴露所述第二连接件的第二开口；以及

钝化后互连(PPI)线，位于所述聚合物层上并连接至位于所述第一开口中的所述第一连接件以及连接至位于所述第二开口中的所述第二连接件。