[发明专利]硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法

权利要求书

1.硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）清洁热场、单晶炉、石英坩埚部件；

（2）打开单晶炉，将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中；

（3）封闭单晶炉，用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空；

（4）打开氩气流量，向单晶炉通入高纯氩气，高纯氩气流量为30~80slpm，同时开启加热器进行加温，熔化多晶硅；

（5）待多晶硅完全熔化，下调加热器功率，保持熔体熔化状态1455摄氏度；

（6）利用主室和副室隔离阀，结合镓元素的掺杂装置向熔体内进行镓元素掺杂；

（7）充分混合后，稳定熔体温度在1450摄氏度，并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却，成型后单晶硅含有浓度为1×10¹⁸~1×10²¹atoms.cm^-3硼和浓度为1×10¹⁷~1×10²⁰atoms.cm^-3的镓；

（8）将单晶硅进行头尾割断、晶棒分割、滚圆、多线切割、倒角、研磨、清洗，并进行器件制作。

2.根据权利要求1所述的P型单晶硅的生长及掺杂方法，其特征在于：单晶硅生长晶体转速为12~25rpm。

3.根据权利要求1所述的P型单晶硅的生长及掺杂方法，其特征在于：石英坩埚转速为5~10rpm。

4.根据权利要求1所述的P型单晶硅的生长及掺杂方法，其特征在于：单晶硅平均生长速度为50~75mm/h。

5.根据权利要求1所述的P型单晶硅的生长及掺杂方法，其特征在于：单晶硅的晶向为<111>或<100>。

6.根据权利要求1所述的P型单晶硅的生长及掺杂方法，其特征在于：单晶硅晶体生长方法为直拉法。