[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210466664.8 申请日: 2012-11-19
公开(公告)号: CN103824951A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 周明杰;王平;黄辉;钟铁涛 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及有机电致发光领域,特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(Organic light-emitting Devices,简称OLEDs)是一种使用有机发光材料的多层发光器件,包括依次层叠的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO),电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。OLED因其具有发光效率高、驱动电压低、视角宽、制作工艺简单,以及易实现全色和柔性显示等特点,在照明和平板显示领域引起了越来越多的关注。

在传统的发光器件中,器件内部发光材料发出的光大约只有18%是可以发射到外部去的,大部分发出的光会以其他形式消耗在器件外部。研究发现,OLED光损耗大,有很大一部分原因在于空穴注入层的不完善。由于现有空穴注入层的材质通常为金属氧化物,它在可见光范围内的吸光率较高,造成了光损失;另外,金属氧化物为无机物,与空穴传输层的有机材料性质差别较大,两者界面之间存在折射率差,容易引起全反射,导致OLED整体出光性能较低。因此非常有必要对空穴注入层的材质进行改性。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件以锐钛型的二氧化钛、聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸(PSS)与聚噻吩类高分子材料作为空穴注入层的材质,同时发挥PEDOT与PSS提高空穴注入的能力与锐钛型的二氧化钛和聚噻吩类高分子材料的散射作用,提高OLED的发光效率。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。

第一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述空穴注入层的材质包括锐钛型二氧化钛、聚3,4-二氧乙烯噻吩、聚苯乙烯磺酸与聚噻吩类高分子材料。

其中,所述锐钛型二氧化钛为经过四氯化钛(TiCl4)的处理的二氧化钛(TiO2)。经过TiCl4处理的锐钛型二氧化钛,颗粒构型规整均一,比表面积较大,粒径也较大,对光有明显的散射作用,并可使二氧化钛结合紧密,提高空穴注入层的导电性,间接提高了OLED的发光效率。

更优选地,所述二氧化钛为颗粒状,粒径为20~200nm。

优选地,所述聚噻吩类高分子材料为聚3-己基噻吩(P3HT)、聚3-甲基噻吩(P3AT)或聚十二烷基噻吩(P3DDT)。聚噻吩类高分子材料具有空穴传输能力,掺杂后可使空穴注入层的空穴传输速率得到有效提高,另外,聚噻吩类高分子材料具有结晶性,结晶后的规整构型对光有较好的散射作用,可集中光强,提高出光效率。

优选地,所述空穴注入层的厚度为20~150nm。

优选地,所述导电阳极为铟锡氧化物玻璃(ITO)、铝锌氧化物玻璃(AZO)或铟锌氧化物玻璃(IZO)。更优选地,所述导电阳极为ITO。

优选地,所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-2-萘蒽(ADN)、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3)。更优选地,所述发光层的材质为8-羟基喹啉铝(Alq3)。

优选地,所述发光层的厚度为5~40nm。更优选地,所述发光层的厚度为30nm。

优选地,所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。更优选地,所述电子传输层的材质为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)。

优选地,所述电子传输层的厚度为40~80nm。更优选地,所述电子传输层的厚度为60nm。

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