[发明专利]一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板及其制备方法

权利要求书

1.一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板的制备方法，依次包括如下步骤：

在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层；

在所述栅极金属层上沉积一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积并图形化金属氧化物薄膜作为有源层；

在所述有源层上沉积另一绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上图形化并定义薄膜晶体管的源漏电极区域、存储电容的有效面积和接触孔；

在所述刻蚀阻挡层上沉积并图形化导电薄膜层作为薄膜晶体管的源漏电极层；

其特征在于,所述存储电容由栅极金属层作为下电极板、栅极绝缘层作为介电层、有源层作为栅极绝缘层的保护层、通过刻蚀阻挡层定义电容的有效面积，并由导电薄膜层作为电容的上电极板。

2.根据权利要求1所述的主动矩阵有机发光二极体驱动背板的制备方法，其特征在于，包括退火工序，具体是将制备好的主动矩阵有机发光二极体驱动背板放于高温环境中进行保温，退火温度为200℃至 500℃，退火气氛为氮气、氧气或者空气中的任意一种，退火时间为10分钟至300分钟。

3.根据权利要求1或2所述的主动矩阵有机发光二极体驱动背板的制备方法，其特征在于，

制备所述栅极金属层所使用的金属为：铝、铜、钼、钛、银、金、钽或铬单质中的至少一种或者为铝合金；

所述金属导电层为单层金属薄膜或多层薄膜，所述单层金属薄膜为铝薄膜、铜薄膜、钼薄膜、钛薄膜、银薄膜、金薄膜、钽薄膜、铬薄膜或铝合金薄膜中的任意一种；所述多层薄膜由两层以上的所述单层薄膜构成；

所述金属导电层的厚度为100nm至2000nm；

所述金属导电层作为电信号导线、薄膜晶体管栅极以及像素电路储存电容下电极的载体层。

4.根据权利要求3所述的主动矩阵有机发光二极体驱动背板的制备方法，其特征在于，所述栅极金属层上沉积的绝缘薄膜的厚度为50nm至500 nm；

所述绝缘薄膜为二氧化硅、氮化硅、氧化铝、五氧化二钽或氧化镱单层绝缘薄膜或由两种以上所述单层绝缘薄膜构成的多层绝缘薄膜。

5.根据权利要求4所述的主动矩阵有机发光二极体驱动背板的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度为50 nm 至 2000 nm；所述刻蚀阻挡层为二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化镱、聚酰亚胺、酚醛树脂、光刻胶、苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯构成的单层薄膜，或是由以上绝缘材料构成的多层薄膜。

6.根据权利要求5所述的主动矩阵有机发光二极体驱动背板的制备方法，其特征在于，

沉积所述源漏电极层所使用的金属为：

铝、铜、钼或钛单质或铝合金或氧化铟锡透明导电薄膜ITO；

所述导电薄膜层的厚度为100 nm至 2000 nm；

所述导电薄膜层为单层金属薄膜或由单层金属薄膜组成的多层金属薄膜；所述单层金属薄膜为铝、铜、钼或钛单质薄膜或者铝合金薄膜或氧化铟锡透明导电薄膜；

所述导电薄膜层作为电信号导线、薄膜晶体管的源漏电极以及电容上电极的载体层，并且可通过接触孔与所述金属导电层相连通。

7.根据权利要求6所述的主动矩阵有机发光二极体驱动背板的制备方法，其特征在于，

在刻蚀阻挡层上沉积并图形化源漏电极层之后，还包括：沉积并图形化平坦层、像素电极层以及像素定义层；

所述平坦层所采用的材料为聚酰亚胺、酚醛树脂、光刻胶、苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一种，所述平坦层的厚度为2000nm至7000nm；

所述像素电极层所采用的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝、石墨烯、钼或银中的任意一种，所述像素电极层的厚度为10nm至 200nm；

所述像素定义层的材料为二氧化硅、氮化硅、氧化铝、聚酰亚胺、酚醛树脂、光刻胶、苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一种，所述像素定义层的厚度为200 nm至5000 nm。