[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 表面清洗及织构化、热氧化成氧化硅膜形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口、一次扩散形成栅线下重扩散、去氧化硅膜、二次扩散形成非栅线窗口区域浅扩散、清洗去磷硅玻璃；

(2) 在硅片的扩散面上热氧化一层氧化硅膜，其厚度为1.0~4.9 nm；

(3) 在上述氧化硅膜上沉积一层高折射率氮化硅膜，所述高折射率氮化硅膜的膜厚为5.0~9.9 nm，折射率为2.41~2.49；

(4) 在上述高折射率氮化硅膜上沉积一层低折射率氮化硅膜，所述低折射率氮化硅膜的膜厚为55~70 nm，折射率为2.0~2.2；

(5) 丝网印刷、烧结，即可得到选择性发射极晶体硅太阳电池。

2.根据权利要求1所述的选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的热氧化的温度为550~799℃，时间为10~30 min，热氧化之后在氮气保护气氛下退火，退火温度为500~800℃，时间为10~70 min。