[发明专利]形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法及其产物的用途

权利要求书

1.一种形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法，包括于导电基底上蒸金，其特征在于完成步骤如下：

步骤1，先将惰性导电基底置于真空蒸镀仪中，于电流密度为8～12mA/cm²下蒸金至少20s，得到其上覆有金膜的惰性导电基底，再于覆有金膜的惰性导电基底上涂敷至少1μm厚的正性光刻胶后，将其于90～100℃下干燥15～20min，得到其上依次覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底；

步骤2，先将具有有序阵列透光图案的光刻板覆盖于其上依次覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底上后，将其置于紫外光下曝光至少36s，再将曝光后的其上依次覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底置于显影液中漂洗至少1min后，对其进行干燥处理，得到其上依次覆有带有有序阵列透光图案的正性光刻胶和金膜的惰性导电基底；

步骤3，先将浓度为3～5g/L的硝酸银水溶液和浓度为30～34g/L的柠檬酸水溶液按照体积比为0.9～1.1：0.9～1.1的比例相混合，得到银电解液，再将其上依次覆有带有有序阵列透光图案的正性光刻胶和金膜的惰性导电基底作为正极、铜片作为负极，正负极之间导线相连接后一起置于银电解液中静置40～80min，制得形貌可控的银纳米片组装结构阵列；

其中，构成结构阵列的单元形貌和排列方式为有序阵列透光图案中的单元图形及其排列方式，所述单元由两片以上平行排列的银纳米片成束交叉组成，所述银纳米片的片厚为15～20nm、片长为0.5～4μm、片间距≤10nm。

2.根据权利要求1所述的形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法，其特征是涂敷为旋涂，旋涂时的转速为4000r/min、时间为20s。

3.根据权利要求1所述的形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法，其特征是有序阵列透光图案为正方形孔有序阵列，或圆形孔有序阵列，或条形带有序阵列。

4.根据权利要求3所述的形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法，其特征是正方形孔有序阵列中的正方形孔的边长为2μm、正方形孔的间距为2μm。

5.根据权利要求3所述的形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法，其特征是圆形孔有序阵列中的圆形孔的直径为10μm、圆形孔的间距为30μm。

6.根据权利要求3所述的形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法，其特征是条形带有序阵列中的条形带的宽度为2μm。

7.根据权利要求1所述的形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法，其特征是将曝光后的其上依次覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底置于显影液中漂洗后的干燥处理为，将其置于120℃下烘干20min。

8.根据权利要求1所述的形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法，其特征是将其上依次覆有带有有序阵列透光图案的正性光刻胶和金膜的惰性导电基底置于银电解液中静置后，对其先使用去离子水清洗2～5次，再用纯氩气吹干。

9.一种权利要求1所述形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法制备的形貌可控的银纳米片组装结构阵列的用途，其特征在于：

将形貌可控的银纳米片组装结构阵列作为表面增强拉曼散射的活性基底，使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的罗丹明或四氯联苯的含量。

10.根据权利要求9所述的形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法制备的形貌可控的银纳米片组装结构阵列的用途，其特征是激光拉曼光谱仪的激光波长为532nm、输出功率为0.1～0.5mW，测量时的积分时间为1～30s。