[发明专利]轨间差分缓冲器输入级

权利要求书

1.一种轨间差分缓冲器输入级，包括：

高电压电源轨和低电压电源轨，一对输入端子和多个输出路径；

n型和p型输入差分晶体管对，在激活时用于从所述输入端子接收差分输入信号且在各输出路径上提供相应的差分输出电流信号，并且以分压器结构分别连接到所述低电压电源轨和所述高电压电源轨；

基准电压生成器，包括基准差分晶体管对，用于从所述输入端子接收差分输入信号，并且基于所述差分输入信号的共模电压产生动态基准电压，所述动态基准电压在所述共模电压小于或大于中间值时分别大于或小于所述共模电压，其中，所述中间值为所述高电压电源轨的电压与所述低电压电源轨的电压之间的中间值；以及

n型和p型虚设晶体管对，分别具有与所述n型和p型输入差分晶体管对的电流传导路径并联连接的电流传导路径，所述虚设晶体管对由所述动态基准电压控制，

其中，当所述差分输入信号的所述共模电压比阈值更远离所述动态基准电压时，所述n型或p型虚设晶体管对导通以使电源轨电流转移离开相应的n型或p型输入差分晶体管对并使相应的n型或p型输入差分晶体管对去活，当所述差分输入信号的所述共模电压比所述阈值更接近所述动态基准电压时，所述n型和p型虚设晶体管对和所述n型和p型输入差分晶体管对都被激活。

2.如权利要求1所述的轨间差分缓冲器输入级，其中，所述n型和p型输入差分晶体管对、所述基准差分晶体管对、所述n型和p型虚设晶体管对均采用金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

3.如权利要求2所述的轨间差分缓冲器输入级，其中，所述基准差分晶体管对具有与所述输入差分晶体管对之一相同的沟道宽长比和工艺特性但是更小的尺寸。

4.如权利要求2所述的轨间差分缓冲器输入级，其中，所述虚设晶体管对具有与所述输入差分晶体管对中的相应的一个相同的尺寸、沟道宽长比和工艺特性。

5.如权利要求1所述的轨间差分缓冲器输入级，其中，导通的所述n型和p型虚设晶体管对将电源轨电流从相应的n型和p型输入差分晶体管对的相关联的晶体管转移到它们的输出信号路径。

6.如权利要求1所述的轨间差分缓冲器输入级，其中，所述基准差分晶体管对从所述一对输入端子接收所述差分输入信号，所述基准电压生成器具有包括所述基准差分晶体管对中的相应的一个的并联基准电流传导路径、串联连接在所述电源轨中的相应的一个与所述并联基准电流传导路径的并联组合之间的第一基准电流源和第二基准电流源、以及与所述第一基准电流源和所述并联基准电流传导路径的串联组合并联连接的第三基准电流源，所述基准电压生成器提供跨所述第二基准电流源的基准电压。

7.如权利要求6所述的轨间差分缓冲器输入级，其中，所述基准电压生成器包括串联在所述并联基准电流传导路径的并联组合与所述第二基准电流源之间的电阻元件。

8.如权利要求6所述的轨间差分缓冲器输入级，其中，所述输入差分晶体管对的电压跟随器结构包括串联在相应的电源轨与输入差分晶体管对和虚设晶体管对的关联组合之间的电压跟随器电流源，所述第三基准电流源提供比电压跟随器电流源更小的电流。

9.如权利要求8所述的轨间差分缓冲器输入级，其中，所述基准差分晶体管对比所述输入差分晶体管对尺寸更小。

10.如权利要求6所述的轨间差分缓冲器输入级，其中，所述第三基准电流源提供比所述第一基准电流源和所述第二基准电流源更小的电流。