[发明专利]多晶硅还原炉

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：

底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；

三十对电极，所述三十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第六圈上，所述第一至第六圈为以所述底盘中心为中心且由内向外依次增大的六个同心正五边形；

进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和

排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第五圈与所述底盘的外周沿之间。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在所述第一圈的每条边上分布有一个电极，在所述第二圈的每条边上分布有一个电极，所述第一圈上的五个电极与所述第二圈上的五个电极一一对应以构成五对电极。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在所述第三圈的每条边上分布有二个电极，在所述第四圈的每条边上分布有二个电极，所述第三圈上的十个电极与所述第四圈上的十个电极一一对应以构成十对电极。

4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在所述第五圈的每条边上分布有三个电极，在所述第六圈的每条边上分布有三个电极，所述第五圈上的十五个电极与所述第六圈上的十五个电极一一对应以构成十五对电极。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述第一至第六圈的对应边彼此平行。

6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个喷嘴分别分布在所述底盘中心处以及第七至第九圈上，所述第七至第九圈为以所述底盘中心为中心且由内向外依次增大的三个同心正五边形，其中所述第七圈位于第一和第二圈之间，所述第八圈位于所述第三和第四圈之间，所述第九圈位于所述第五和第六圈之间。

7.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述第一至第九圈的对应边彼此平行。

8.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个喷嘴的数量为二十六个，其中在所述第七圈上分布有五个喷嘴，在所述第八圈上分布有十个喷嘴，在所述第九圈上分布有十个喷嘴，其中第七至第九圈中的任一圈上的喷嘴与和其相邻的圈上的电极沿周向交错布置。

9.根据权利要求8所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘上形成有气体腔，所述二十六个喷嘴分别与所述气体腔相连，所述进气系统还包括：

进气环管，所述进气环管位于所述底盘下方且与外部气源相连通；

五个进气管，所述五个进气管分别与所述进气环管和所述气体腔相连。

10.根据权利要求9所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘内形成有位于所述气体腔上面的第一冷却腔，且所述第一冷却腔具有第一冷却介质进口和多个第一冷却介质出口，所述第一冷却介质进口位于所述底盘的中央，而所述多个第一冷却介质出口与所述多个排气口一一对应设置，每个所述第一冷却介质出口连接有第一冷却管且每个所述排气口连接有尾气管，所述第一冷却管套设在所述尾气管上。

11.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个排气口的数量为三至十二个且分布在以所述底盘的中心为圆心的一个圆周上。

12.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体内设有第二冷却腔且所述第二冷却腔连接有第二冷却介质进口和第二冷却介质出口，所述第二冷却介质进口位于所述炉体的底部且所述第二冷却介质出口位于所述炉体的顶部，所述第二冷却腔内设有多个隔流挡板，所述多个隔流挡板在所述第二冷却腔内由下至上绕所述反应腔室呈螺旋状分布。

13.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体包括位于下部的筒体和设在所述筒体顶端的封头，所述封头为中空半球体。

14.根据权利要求13所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体上还设有多个观察镜，所述多个观察镜在所述筒体的高度方向上均匀分布成多排且所述多个观察镜沿所述筒体的周向均匀分布。