[发明专利]锑铽共掺杂氯硼酸盐发光薄膜、其制备方法和电致发光器件

权利要求书

1.一种锑铽共掺杂氯硼酸盐发光薄膜，其特征在于，具有分子通式：Me_2-x-yB₅O₉Cl:xSb³⁺,yTb³⁺；其中，Me₂B₅O₉Cl是基质，Sb³⁺和Tb³⁺是激活离子，在薄膜中充当发光中心；Me为元素Mg、Ca、Sr、Ba或Zn，x的取值0.01~0.05，y取值0.005~0.03。

2.根据权利要求1所述的锑铽共掺杂氯硼酸盐发光薄膜，其特征在于，x的取值0.03，y取值0.01。

3.一种锑铽共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

(1)、陶瓷靶材的制备：根据分子通式Me_2-x-yB₅O₉Cl:xSb³⁺,yTb³⁺中各元素化学计量比，称取MeO，B₂O₃，MeCl₂，SbO₂和Tb₄O₇粉体，经过均匀混合后，在900~1300℃下烧结处理0.5~5h，制成陶瓷靶材；

(2)、将步骤(1)中的陶瓷靶材和氧化铟锡玻璃装入镀膜设备的真空腔体，抽真空处理；

(3)、调节工艺参数：基靶间距为45~95mm，衬底温度为250℃~750℃，激光的能量为80~300W，过程中通入的氧气流量为10~40sccm，工作压强为0.5~5Pa；随后进行制膜；

待上述工艺完成后，在氧化铟锡玻璃的氧化铟锡表面制得所述的锑铽共掺杂氯硼酸盐发光薄膜，该发光薄膜具有分子通式：Me_2-x-yB₅O₉Cl:xSb³⁺,yTb³⁺；其中，Me₂B₅O₉Cl是基质，Sb³⁺和Tb³⁺是激活离子，在薄膜中充当发光中心；Me为元素Mg、Ca、Sr、Ba或Zn，x的取值0.01~0.05，y取值0.005~0.03。

4.根据权利要求3所述的锑铽共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述烧结处理的温度为1250℃，烧结时间为3h。

5.根据权利要求3所述的锑铽共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述抽真空处理是采用机械泵和分子泵进行的，且真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa。

6.根据权利要求5所述的锑铽共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述抽真空处理后，真空腔体的真空度为5.0×10^-4Pa。

7.根据权利要求3所述的锑铽共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，工艺参数设置：基靶间距为60mm，衬底温度为500℃，激光的能量为150W，过程中通入的氧气流量为20sccm，工作压强为3Pa。

8.根据权利要求3所述的锑铽共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，x的取值0.03，y取值0.01。

9.一种电致发光器件，该器件包括氧化铟锡玻璃、层叠在氧化铟锡玻璃的氧化铟锡表面发光薄膜层，以及层叠在发光薄膜层表面的阴极，其特征在于，所述发光薄膜层的材质具有分子通式：Me_2-x-yB₅O₉Cl:xSb³⁺,yTb³⁺；其中，Me₂B₅O₉Cl是基质，Sb³⁺和Tb³⁺是激活离子，在薄膜中充当发光中心；Me为元素Mg、Ca、Sr、Ba或Zn，x的取值0.01~0.05，y取值0.005~0.03。

10.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，x的取值0.03，y取值0.01。