[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

传统的有机电致发光器件，空穴传输速率比电子传输速率要高两个数量级以上，因此，往往导致空穴与电子的复合几率低下，从而降低了有机电致发光器件的发光效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种，所述空穴阻挡层的材料包括氧化锌及掺杂在氧化锌中的铼的氧化物，所述空穴阻挡层中所述铼的氧化物的质量百分含量为5%~30%。

在其中一个实施例中，所述空穴阻挡层的厚度为1nm~20nm。

在其中一个实施例中，所述铼的氧化物选自二氧化铼、七氧化二铼、三氧化二铼及氧化二铼中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述电子注入层的材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层及发光层，所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种，；

在所述发光层表面电子束蒸镀形成空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的材料包括氧化锌及掺杂在所述氧化锌中的铼的氧化物，所述空穴阻挡层中所述铼的氧化物的质量百分含量为5%~30%，所述氧化锌与所述铼的氧化物分别在两个蒸发舟中进行蒸发，蒸镀在真空压力为5×10^-3~2×10^-4Pa下进行，所述氧化锌蒸镀速率为1nm/s~10nm/s，所述铼的氧化物蒸镀速率为0.5nm/s~5nm/s；及

在所述空穴阻挡层表面依次蒸镀形成电子传输层、电子注入层及阴极。

在其中一个实施例中，所述空穴阻挡层的厚度为1nm~20nm。

在其中一个实施例中，所述铼的氧化物选自二氧化铼、七氧化二铼、三氧化二铼及氧化二铼中的至少一种。

上述有机电致发光器件及其制备方法，采用铼的氧化物与氧化锌（ZnO）进行掺杂制备空穴阻挡层，铼的功函数在-5.8eV以下，与发光层材料的HOMO能级存在约0.3eV以上的势垒，空穴就被阻挡在发光层，从而在发光层里与电子进行复合发光，提高了空穴-电子的复合几率，最终使有机电致发光器件的发光效率较高；同时ZnO是n型材料，有利于电子的传输，可提高电子的传输速率。

附图说明

图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；

图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流效率与电流密度关系图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。

请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、空穴阻挡层50、电子传输层60、电子注入层70及阴极80。