[发明专利]一维纳米结构极化增强放电电极

权利要求书

1.一种电场极化增强的放电电极，包括阴极和阳极，其特征在于，所述阴极和所述阳极之间设置有电场极化增强结构，所述电场极化增强结构由一维纳米结构构成，所述电场极化增强结构与所述阴极和所述阳极皆不接触。

2.如权利要求1所述的电场极化增强的放电电极，其中所述电场极化增强结构是单个的所述一维纳米结构或多个所述一维纳米结构的排列。

3.如权利要求2所述的电场极化增强的放电电极，其中所述一维纳米结构是半导体材料的纳米带、纳米线、纳米棒、纳米针或纳米管。

4.如权利要求3所述的电场极化增强的放电电极，其中所述一维纳米结构的表面覆盖有导体材料的薄膜、纳米颗粒或比所述一维纳米结构小的一维纳米结构；或者所述一维纳米结构的表面覆盖有绝缘材料的薄膜、纳米颗粒或比所述一维纳米结构小的一维纳米结构；或者所述一维纳米结构的表面覆盖有绝缘材料的薄膜，所述绝缘材料的薄膜的表面覆盖有导电材料的薄膜、纳米颗粒或比所述一维纳米结构小的一维纳米结构；或者所述一维纳米结构的表面覆盖有半导体材料的薄膜或纳米颗粒，所述半导体材料的薄膜或纳米颗粒的表面覆盖有半导体材料的比所述一维纳米结构小的一维纳米结构；或者所述一维纳米结构的表面覆盖有导体材料的薄膜，所述导体材料的薄膜的表面覆盖有绝缘材料的薄膜。

5.如权利要求2所述的电场极化增强的放电电极，其中所述一维纳米结构是导体材料的纳米带、纳米线、纳米棒、纳米针或纳米管。

6.如权利要求5所述的电场极化增强的放电电极，其中所述一维纳米结构的一个端部的表面覆盖有半导体材料的薄膜，所述半导体材料的薄膜的表面覆盖有半导体材料的薄膜；或者所述一维纳米结构的一个端部的表面覆盖有绝缘材料的薄膜。

7.如权利要求2所述的电场极化增强的放电电极，其中所述一维纳米结构是绝缘材料的纳米带、纳米线、纳米棒、纳米针或纳米管，且所述一维纳米结构的表面覆盖有导体或半导体材料的薄膜、纳米颗粒或比所述一维纳米结构小的一维纳米结构。

8.如权利要求2所述的电场极化增强的放电电极，所述阳极的表面具有第一一维纳米结构，所述第一一维纳米结构与所述一维纳米结构相同或不同。

9.如权利要求2或8所述的电场极化增强的放电电极，所述其中所述阴极的表面具有第二一维纳米结构，所述第二一维纳米结构与所述一维纳米结构相同或不同。

10.如权利要求1或2所述的电场极化增强的放电电极，其中所述阴极、所述阳极和所述电场极化增强结构设置在支撑结构上，所述阳极到所述电场极化增强结构之间的距离以及所述阴极到所述电场极化增强结构之间的距离皆可调。