[发明专利]一种以Zn膜为基材直接制备N掺杂ZnO薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210469096.7 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102925856A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;王芸;沈洪雪;彭程 | 申请（专利权）人： | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/58;H01L21/203;H01L33/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 倪波 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zn 基材 直接 制备 掺杂 zno 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种以Zn膜为基材直接制备N掺杂ZnO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）选用清洁Si片作为衬底材料，以纯度为99.99%的金属锌作为溅射靶材；
（2）衬底材料放入离子束溅射腔室中，当腔室中真空度达到1.0×10-4Pa时，通入溅射气体氩气，启动清洗枪，对衬底材料进行清洗；
（3）衬底材料清洗完成后，开启溅射枪，进行离子束镀膜，束流电压为700～800V，加速电压210～230V，束流20～30mA，放电电压为50～70V；
（4）经过离子束沉积得到的Zn膜在气氛炉中进行N2、O2混气退火处理直接得到N掺杂ZnO薄膜，霍尔效应检测显示所得薄膜为N掺杂P型ZnO薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种以Zn膜为基材直接制备N掺杂ZnO薄膜的方法，其特征在于，步骤（4）气氛炉中通入N2和O2的体积比为1.5：1。
3.根据权利要求1所述的一种以Zn膜为基材直接制备N掺杂ZnO薄膜的方法，其特征在于，步骤（4）退火处理的温度为600～700℃，时间为2小时。
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