[发明专利]一种高阻尼Mg-Si多孔复合材料及制备方法有效
| 申请号： | 201210469313.2 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102925735A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 万迪庆;刘雅娟;于田 | 申请（专利权）人： | 华东交通大学 |
| 主分类号： | C22C1/08 | 分类号： | C22C1/08;C22C23/00 |
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| 地址： | 330013 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阻尼 mg si 多孔 复合材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高阻尼Mg-Si多孔复合材料及制备方法，其制备方法为以纯镁粉为基体，加入纯硅粉并通过控制烧结温度、烧结时间、硅含量，采用常压高温反应烧结工艺制备Mg-Si金属多孔复合材料，该多孔材料具有高阻尼性能。
2.根据权利要求1所述的Mg-Si多孔复合材料烧结成型的方法，其特征在于，所述的材料为Mg-Si多孔金属基复合材料，基体为α-Mg，增强相为Mg2Si。
3.根据权利要求1所述的Mg基多孔复合材料，其特征在于，所述的Si重量百分比含量为15%~30%。
4.根据权利要求1所述的Mg基多孔复合材料烧结成型方法，其特征在于，所述的烧结温度为690~720℃。
5.根据权利要求1所述的Mg-Si多孔复合材料烧结成型方法，其特征在于，所述烧结时间为2~3小时。
6.根据权利要求1所述的Mg-Si多孔复合材料烧结成型方法，其特征在于，在镁硅混料中加入重量百分比为0.1~0.5%的镁合金专用二号溶剂。
7.根据权利要求1所述的Mg基多孔复合材料烧结成型方法，其特征在于，采用常压高温反应烧结工艺并用密封容器作为承载体，将粉末装入容器中并压紧密封，防止空气、水分与粉末接触。
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