[发明专利]二芳基酮中心的偶氮分子三进制电存储材料及制备和应用有效

专利信息
申请号: 201210469630.4 申请日: 2012-11-19
公开(公告)号: CN102936208A 公开(公告)日: 2013-02-20
发明(设计)人: 路建美;缪世峰;李华 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C07C245/08 分类号: C07C245/08;C07C245/10;H01L51/40;H01L27/28
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 二芳基酮 中心 偶氮 分子 三进制电 存储 材料 制备 应用
【权利要求书】:

1.下述通式(I)的以二芳基酮为中心基团的偶氮化合物:

其中,DAK为3,3’-二苯甲酰基、4,4’-二苯甲酰基或2,7-芴酮基;R为N,N-二C1~C6直链烷基氨基、N,N-二苯基氨基或羟基。

2.一种制备权利要求1所述偶氮化合物的方法,包括下述步骤:

a、在氮气氛围下,将硝基二芳基甲酮和二氯化锡、硫化钠、硫化铵或铁粉加酸的绝对乙醇或无水1,4-二氧六环溶液于50~90℃下加热反应0.5~1.5h,所得透明橘黄色溶液冷却后倒入碎冰中,以10~20wt%的碳酸氢钠溶液中和pH至7.5~8.0,所得乳白色溶液以热的乙酸乙酯、二氯甲烷或氯仿萃取数次,有机相先后以水、饱和食盐水洗涤,无水碳酸钾或无水硫酸镁干燥,蒸除溶剂后得通式(II)的亮黄色粉末氨基二芳基甲酮化合物;

式中DAK为3,3’-二苯甲酰基、4,4’-二苯甲酰基或2,7-芴酮基;

b、在0~5℃下,将步骤a中所得氨基二芳基甲酮溶于10~20wt%的盐酸或20~45wt%的硫酸中,搅拌下缓慢滴加1.0~1.5当量的亚硝酸钠或亚硝酸钾水溶液,滴毕,继续搅拌0.5~2h,过滤除去不溶物,向滤液中滴加等摩尔量的取代苯胺的10~20wt%盐酸溶液或等摩尔量的苯酚的20~40wt%氢氧化钠溶液,0~5℃下搅拌1~3h后,以0.5~3M氢氧化钾或氢氧化钠溶液中和,静置片刻,抽滤,滤饼依次以去离子水、食盐水洗涤,得到红色固体通式(I)的目标化合物,所述的取代苯胺为N,N-二C1~C6直链烷基苯胺或N,N-二苯基苯胺。

3.一种采用权利要求1所述的偶氮化合物制得的三进制数据存储器件,包括底电极和上电极,其特征在于:还包括设置在底电极和上电极之间的有机薄膜层,底电极、有机薄膜层和上电极构成三明治结构,所述的有机薄膜层的材料为通式(I)所述的偶氮化合物。

4.根据权利要求3所述的存储器件,其特征在于:所述的底电极的厚度为10~300nm,有机薄膜层的厚度为20~150nm,上电极的厚度为20~300nm。

5.根据权利要求3所述的存储器件,其特征在于:所述底电极的材料为ITO导电玻璃、可蒸镀金属或导电聚合物。

6.根据权利要求5所述的存储器件,其特征在于:所述可蒸镀金属为金、铂、银、铝或铜;所述导电聚合物为聚噻吩或聚苯胺。

7.根据权利要求3所述的存储器件,其特征在于:所述上电极的材料为可蒸镀金属或金属氧化物。

8.根据权利要求7所述的存储器件,其特征在于:所述可蒸镀金属为金、铂、铝或铜;所述金属氧化物为氧化铟锡。

9.一种制备权利要求3所述存储器件的方法,包括下述步骤:

在底电极上沉积通式(I)的偶氮化合物,形成一层有机薄膜;再在有机薄膜上真空沉积一层上电极,制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件。

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