[发明专利]晶体管、显示装置和电子设备

权利要求书

1.一种晶体管，其包括：

栅电极；

面对所述栅电极的半导体层，绝缘层位于所述半导体层和所述栅电极之间；

一对源漏电极，其电连接到所述半导体层；和

接触层，其设置在一对所述源漏电极中的每一者与所述半导体层之间的载流子移动路径中，所述接触层的端表面被所述源漏电极覆盖，

其中，所述一对源漏电极各自具有直接与所述绝缘层接触的区域以及直接与所述半导体层接触的区域，且所述接触层仅设置在所述半导体层上，

其中，所述接触层包括彼此面对的一对第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层设置在所述半导体层和一对所述源漏电极中的每一者之间，并且彼此面对的所述第一接触层的表面和所述第二接触层的表面也被所述源漏电极覆盖。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述接触层设置在所述半导体层和一对所述源漏电极中的每一者之间。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中

所述接触层设置在所述半导体层上，并且

一对所述源漏电极与所述绝缘层接触。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述接触层处于具有多个间隙的非连续状态。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其中，通过在所述接触层发展成连续膜之前完成真空膜形成来形成处于非连续状态的所述接触层。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述接触层是连续膜。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述接触层延伸经过所述半导体层的端表面而到达所述半导体层的两侧上。

8.一种包括多个像素和驱动所述多个像素的晶体管的显示装置，所述晶体管包括：

栅电极；

面对所述栅电极的半导体层，绝缘层位于所述半导体层和所述栅电极之间；

一对源漏电极，其电连接到所述半导体层；和

接触层，其设置在一对所述源漏电极中的每一者与所述半导体层之间的载流子移动路径中，所述接触层的端表面被所述源漏电极覆盖，

其中，所述一对源漏电极各自具有直接与所述绝缘层接触的区域以及直接与所述半导体层接触的区域，且所述接触层仅设置在所述半导体层上，

其中，所述接触层包括彼此面对的一对第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层设置在所述半导体层和一对所述源漏电极中的每一者之间，并且彼此面对的所述第一接触层的表面和所述第二接触层的表面也被所述源漏电极覆盖。

9.一种包括显示装置的电子设备，所述显示装置包括多个像素和驱动所述多个像素的晶体管的显示装置，所述晶体管包括：

栅电极；

面对所述栅电极的半导体层，绝缘层位于所述半导体层和所述栅电极之间；

一对源漏电极，其电连接到所述半导体层；和

接触层，其设置在一对所述源漏电极中的每一者与所述半导体层之间的载流子移动路径中，所述接触层的端表面被所述源漏电极覆盖，

其中，所述一对源漏电极各自具有直接与所述绝缘层接触的区域以及直接与所述半导体层接触的区域，且所述接触层仅设置在所述半导体层上，

其中，所述接触层包括彼此面对的一对第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层设置在所述半导体层和一对所述源漏电极中的每一者之间，并且彼此面对的所述第一接触层的表面和所述第二接触层的表面也被所述源漏电极覆盖。

10.一种显示装置，其包括：

根据权利要求1-7中任一权利要求所述的晶体管，所述半导体层包括沟道区域；和

电极，其电连接到所述晶体管并覆盖所述沟道区域，其中

在所述电极的平面区域内，所述沟道区域的构成平面形状的侧边中的一对或多对彼此面对的侧边定位成面对所述电极。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中

所述沟道区域的平面形状是四边形，并且

在所述电极的平面区域内，所述沟道区域的三个或更多侧边定位成面对所述电极。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，在所述电极的平面区域内，所述沟道区域的所有侧边定位成面对所述电极。