[发明专利]用于多晶硅还原炉的底盘组件

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅生产技术领域，特别是涉及一种用于多晶硅还原炉的底盘组件。

背景技术

多晶硅还原炉是多晶硅生产中产出最终产品的核心设备，也是决定系统产能、能耗的关键环节。因此，多晶硅还原炉的设计和制造，直接影响到产品的质量、产量和生产成本。随着全球经济危机的影响下，多晶硅的价格持续下降，产业利润不断被压缩，市场竞争日趋激烈。因此，有效地降低多晶硅能耗，提高产品质量，提高生产效率，是目前多晶硅生产企业需要解决的重要问题。

目前生产多晶硅主要采用“改良西门子法”，通常将一定配比的三氯氢硅（SiHCl3）和氢气(H2)混合气从底部进气口喷入，在还原炉内发生气相还原反应，反应生成的硅（Si）直接沉积在炉内的硅芯表面，随着反应的持续进行，硅棒不断生长最终达到产品要求。由于还原炉内部硅芯需要维持在1050℃-1100℃进行生产，外部用冷却夹套进行冷却，因此，使用12对棒、18对棒等还原炉生产多晶硅还原能耗大，生产成本高，已经不适应目前激烈市场竞争的要求，迫切需求一种能够节能降耗的新型还原炉的出现。

发明内容

本发明旨在至少解决上述技术问题之一。

为此，本发明的一个目的在于提出一种可以降低能耗并且可以提高产量的用于多晶硅还原炉的底盘组件

根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，包括：底盘本体；二十四对电极，所述二十四对电极设在所述底盘本体上且分别分布在第一至第四圈上，所述第一至第四圈为以所述底盘本体的中心为中心且由内向外依次增大的四个同心正八边形；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘本体中部的多个进气口；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘本体上且位于所述第四圈与所述底盘本体的外周沿之间。

根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，二十四对电极设在底盘本体上且分别分布在第一至第四圈上，由此，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。

另外，根据本发明上述实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，还可以具有如下附加的技术特征：

根据本发明的一个实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，在所述第一圈的每条边上分布有一个电极，在所述第二圈的每条边上分布有一个电极，所述第一圈上的八个电极与所述第二圈上的八个电极一一对应以构成八对电极。

根据本发明的一个实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，在所述第三圈的每条边上分布有二个电极，在所述第四圈的每条边上分布有二个电极，所述第三圈上的十六个电极与所述第四圈上的十六个电极一一对应以构成十六对电极。

根据本发明的一个实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述第一至第四圈的对应边彼此平行。

根据本发明的一个实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述多个进气口分别分布在所述底盘本体的中心处以及第五和第六圈上，所述第五和第六圈为以所述底盘本体的中心为中心且由内向外依次增大的二个同心正八边形，其中所述第五圈位于第一和第二圈之间，所述第六圈位于所述第三和第四圈之间。

根据本发明的一个实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述第一至第六圈的对应边彼此平行。

根据本发明的一个实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述多个进气口的数量为二十五个，其中在所述第五圈上分布有八个进气口，在所述第六圈上分布有十六个进气口，其中第五和第六圈中的任一圈上的进气口与和其相邻的圈上的电极沿周向交错布置。

根据本发明的一个实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述进气系统还包括：进气环管，所述进气环管位于所述底盘本体下方且与外部气源相连通；二十五个进气管，所述二十五个进气管分别与所述二十五个进气口一一对应且所述二十五个进气口通过所述二十五个进气管与所述进气环管相连接。

根据本发明的一个实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述多个排气口的数量为三至十二个且分布在以所述底盘本体的中心为圆心的一个圆周上。

根据本发明的一个实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述底盘内形成有第一冷却腔，且所述第一冷却腔具有第一冷却介质进口和多个第一冷却介质出口，所述第一冷却介质进口位于所述底盘的中央，而所述多个第一冷却介质出口与所述多个排气口一一对应设置，每个所述第一冷却介质出口连接有第一冷却管且每个所述排气口连接有尾气管，所述第一冷却管套设在所述尾气管上。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。