[发明专利]画素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种画素结构，配置于一基板上，其特征在于：该画素结构包括：

一闸极，配置于该基板上；

一电容电极，配置于该基板上；

一电容透明电极，配置于该基板上，且覆盖该电容电极与部分的基板；

一闸绝缘层，配置于所述基板上，且覆盖闸极与电容透明电极，该闸绝缘层具有一开口，且该开口暴露出部分电容透明电极；

一半导体层，配置于该闸绝缘层上，且位于所述闸极的上方；

一源极，配置于该闸绝缘层上；

一汲极，配置于该闸绝缘层上，其中该源极与该汲极暴露出部分该半导体层；

一保护层，配置于该闸绝缘层上，且覆盖该源极、汲极、闸绝缘层以及所述开口所暴露出的电容透明电极，其中该保护层具有一接触窗，且该接触窗暴露出部分汲极；以及一画素电极，配置于该保护层上，该画素电极穿过所述接触窗与汲极电性连接，其中该画素电极与所述开口所暴露出的电容透明电极之间具有一重迭区域构成的一储存电容。

2.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：所述闸极与电容电极为同一膜层。

3.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：所述电容透明电极的材质是铟锡氧化物或铟锌氧化物。

4.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：所述闸极、源极以及汲极构成一底闸型薄膜晶体管。

5.一种画素结构的制作方法，其特征在于：其包括：

形成一闸极与一电容电极于一基板上；

形成电容透明电极于所述基板上，其中该电容透明电极覆盖所述电容电极与部分该基板；

形成一闸绝缘层于所述基板上，其中该闸绝缘层覆盖所述闸极与电容透明电极，该闸绝缘层具有一开口，且该开口暴露出部分该电容透明电极；

形成一半导体层于闸绝缘层上，且该半导体层位于闸极的上方；

形成一源极与一汲极于所述闸绝缘层上，且该源极与汲极暴露出部分半导体层；

形成一保护层于所述闸绝缘层上，且该保护层覆盖源极、汲极、闸绝缘层以及所述开口所暴露出的电容透明电极，该保护层具有一接触窗，且该接触窗暴露出部分汲极；

形成一画素电极于该保护层上，且该画素电极穿过所述接触窗与所述汲极电性连接，且该画素电极与所述开口所暴露出的电容透明电极之间形成具有一重迭区域构成的一储存电容。

6.根据权利要求5所述的画素结构的制作方法，其特征在于：所述闸极与该电容电极为同一膜层。

7.根据权利要求5所述的画素结构的制作方法，其特征在于：所述电容透明电极的材质是铟锡氧化物或铟锌氧化物。

8.根据权利要求5所述的画素结构的制作方法，其特征在于：所述形成该闸极与电容电极的步骤，包括：

形成一第一金属层于该基板上；以及

图案化该第一金属层，以形成该闸极与该电容电极。

9.根据权利要求5所述的画素结构的制作方法，其特征在于：所述形成源极与汲极的步骤，包括：

形成一第二金属层于所述半导体层与所述闸绝缘层上；以及

图案化该第二金属层，以形成该源极以及汲极。

10.根据权利要求5所述的画素结构的制作方法，其特征在于：所述闸极、源极以及汲极构成一底闸型薄膜晶体管。