[发明专利]超低功耗线性稳压器驱动电路

权利要求书

1.一种超低功耗线性稳压器驱动电路，包括：源跟随器电路（1）和尾电流源电路（2）；尾电流源电路（2）输出尾电流信号，与源跟随器电路（1）相连；源跟随器电路（1）输出电压驱动信号P_G，其特征在于：尾电流源电路（2）连接有采样电路（3），用于输出采样负载电流信号Ic； 

所述尾电流源电路（2），由固定电流源（21）和动态电流源（22）组成，该固定电流源（21）的输入端G与芯片内部提供的偏置电压VBIAS相连，该固定电流源（21）的输出端H作为尾电流源电路（2）的输出端，与源跟随器电路（1）相连；该动态电流源（22）的输入端E与采样电路（3）输入的采样电流信号Ic相连，该动态电流源（22）的输出端F与固定电流源（21）的输出端H相连，输出尾电流信号。

2.根据权利要求1所述的线性稳压器驱动电路，其特征在于动态电流源（22），包括两个NMOS管，即第四NMOS管M4和第五NMOS管M5； 

所述第四NMOS管M4和第五NMOS管M5，其栅极相连构成电流镜结构，并与第四NMOS管M4的漏极相连；其源极相连，并连接到地； 

所述第四NMOS管M4的漏极作为输入端E，并与采样电路（3）输入的采样电流信号Ic相连； 

所述第五NMOS管M5的漏极作为输出端F连接到固定电流源（21）的输出端H。 

3.根据权利要求1所述的线性稳压器驱动电路，其特征在于采样电路（3），包括一个PMOS管、两个NMOS管，即第三PMOS采样管M3、第二NMOS管M2、第六NMOS管M6和一个反馈电阻R1； 

所述第二NMOS管M2，其栅极作为采样电路（3）的第一输入端A，与芯片内部产生的电压信号V_D相连；其漏极与芯片输入的电源电压Vin相连；其源极与第六NMOS管M6的漏极相连； 

所述第六NMOS管M6，其栅极作为采样电路（3）的第二输入端B，与芯片内部产生的偏置电压VBIAS相连；其源极连接到地； 

所述反馈电阻R1跨接于芯片输入的电源电压Vin和第三PMOS采样管M3的源极之间，构成带源极负反馈电路，保证采样电流不会过大； 

所述第三PMOS采样管M3，其栅极与第二NMOS管M2的源极相连；其漏极作 为采样电路（3）的输出端C，连接到动态电流源电路（22）的输入端E。 

4.根据权利要求1所述的线性稳压器驱动电路，其特征在于源跟随器电路（1），由第一NMOS管M1构成；该第一NMOS管M1的栅极作为输入端J，与芯片内部产生的电压信号V_D相连，其漏极与芯片输入的电源电压Vin相连，其源极作为输出端I，输出电压驱动信号P_G。 

5.根据权利要求3或4所述的线性稳压器驱动电路，其特征在于采样电路（3）中的第二NMOS管M2与构成源跟随器电路（1）的第一NMOS管M1类型相同、宽长比成比例，且栅极电压同为芯片内部产生的电压信号V_D，以保证第二NMOS管M2的源极电压P_GX与第一NMOS管M1的漏极电压P_G变化一致。 

6.根据权利要求3所述的线性稳压器驱动电路，其特征在于采样电路（3）中的第三PMOS采样管M3与其所在芯片内部的PMOS功率管P_H类型相同、宽长比成比例，以保证第三PMOS采样管M3的采样电流信号Ic与芯片的负载电流Iload变化一致。