[发明专利]耳机有效

专利信息
申请号: 201210471133.8 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN103841480A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 魏洋;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H04R1/10 分类号: H04R1/10;H04R23/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 耳机
【权利要求书】:

1.一种耳机,包括:

一壳体,该壳体具有一收容空间,其特征在于,

所述耳机进一步包括多个热致发声器单元设置于所述壳体的收容空间内,所述热致发声器单元进一步包括:

一基底,该基底具有相对的一第一表面和一第二表面;

至少一第一电极与至少一第二电极间隔设置,相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽;

一热致发声元件设置于基底所述第一表面且与所述至少一第一电极与至少一第二电极电连接,所述热致发声元件在所述凹槽位置悬空设置,

其中,所述基底为一硅基底,所述基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽,所述凹槽的深度为100微米至200微米,所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构,该碳纳米管层状结构在所述凹槽处悬空设置。

2.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述壳体包括至少一个通孔,所述热致发声器单元与该通孔相对设置。

3.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述热致发声器单元通过粘结剂、卡槽或钉扎结构固定于所述壳体内部。

4.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述多个热致发声器单元共用同一基底。

5.如权利要求4所述的耳机,其特征在于,所述基底的第一表面相邻的热致发声器单元的的热致发声元件相互绝缘设置。

6.如权利要求4所述的耳机,其特征在于,所述基底的第一表面具有多个切割线,所述多个热致发声器单元通过所述多个切割线相互独立设置。

7.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述多个热致发声器单元分别设置在多个平面上。

8.如权利要求7所述的耳机,其特征在于,所述壳体具有一出声部,所述多个热致发声器单元分别以不同的角度面对所述出声部设置。

9.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,每个热致发声器单元中所述热致发声元件与所述基底的第一表面之间进一步设置有一绝缘层。

10.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,每个热致发声器单元中,所述热致发声元件设置于所述基底的第一表面与所述第一电极或第二电极之间。

11.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,每个热致发声器单元中,所述第一电极和第二电极设置于所述热致发声元件与基底的第一表面之间。

12.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述基底的第一表面相邻的凹槽之间为一凸部,每个热致发声器单元包括多个第一电极与多个第二电极交替设置在所述凸部上,多个第一电极相互电连接,多个第二电极相互电连接。

13.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述基底的材料为单晶硅或多晶硅。

14.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述层状碳纳米管结构由多个碳纳米管组成,该多个碳纳米管沿同一方向延伸,且所述多个碳纳米管的延伸方向与所述凹槽的延伸方向形成一夹角,该夹角大于0度小于等于90度。

15.如权利要求14所述的耳机,其特征在于,所述层状碳纳米管结构包括一碳纳米管膜,所述碳纳米管膜由多个沿同一方向择优取向延伸的碳纳米管组成,该多个碳纳米管平行于所述基底的第一表面。

16.如权利要求14所述的耳机,其特征在于,所述层状碳纳米管结构在所述凹槽位置包括多个相互平行且间隔设置的碳纳米管线,所述碳纳米管线包括多个碳纳米管沿该碳纳米管线的长度方向平行排列或沿该碳纳米管线的长度方向呈螺旋状排列。

17.如权利要求14所述的耳机,其特征在于,所述层状碳纳米管结构包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线,所述多个碳纳米管线的延伸方向与所述凹槽的延伸方向形成一夹角,该夹角大于0度小于等于90度。

18.如权利要求17所述的耳机,其特征在于,相邻的所述碳纳米管线之间的间隔为0.1微米至200微米。

19.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述凹槽的宽度大于等于0.2毫米且小于1毫米。

20.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述基底的第二表面进一步包括一集成电路芯片,所述集成电路芯片分别与所述第一电极及第二电极电连接,向所述热致发声元件输入信号。

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