[发明专利]一种电源保护电路及其芯片

权利要求书

1.一种电源保护电路，其特征在于，所述电源保护电路包括钳位电路、第一晶体管、第二晶体管，其中

钳位电路耦接于电源和第一晶体管的第三电极之间，第一晶体管的第一电极耦接于电源且第二电极接地，第二晶体管的第一电极耦接于第一晶体管的第三电极、第二电极耦接于地且第三电极耦接于电源。

2.如权利要求1所述的电源保护电路，其特征在于，所述钳位电路包括串联的采用二极管方式连接的N个PMOS管，其中N≥[Vtrig/Vsg]，Vtrig为过压保护触发电压、VSg为PMOS管的源级到栅极电压。

3.如权利要求1所述的电源保护电路，其特征在于，所述钳位电路包括串联的采用二极管方式连接的N个PNP三极管，其中N≥[Vtrig/Veb]，Vtrig为过压保护触发电压、Veb为PNP三级管的发射极到基极电压。

4.如权利要求1所述的电源保护电路，其特征在于，所述钳位电路包括串联的阳极耦接于电源，阴极耦接于第一晶体管的第三电极的N个二极管，其中N≥[Vtrig/Vd]，Vtrig为过压保护触发电压、Vd为二极管正向导通电压。

5.如权利要求1所述的电源保护电路，其特征在于，所述钳位电路包括串联连接的N1个采用二极管方式连接的PMOS管、N2个采用二极管方式连接的PMOS管、N3个二极管，其中N1xVsg+N2xVeb+N3xVd≥Vtrig，其中Vtrig为过压保护触发电压、VSg为PMOS管的源级到栅极电压、Veb为PNP三级管的发射极到基极电压、Vd为二极管正向导通电压。

6.如上述权利要求之一所述的电源保护电路，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为NMOS管，第一电极为栅极、第二电极为源极、第三电极为漏级。

7.一种包括如上述权利要求之一所述的电源保护电路的芯片。