[发明专利]耳机有效

专利信息
申请号: 201210471291.3 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN103841483B 公开(公告)日: 2018-03-02
发明(设计)人: 魏洋;林晓阳;姜开利;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H04R1/10 分类号: H04R1/10;H04R23/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 耳机
【权利要求书】:

1.一种耳机,其包括:一耳机头,所述耳机头包括一壳体以及一热致发声装置,该热致发声装置设置于所述壳体内;

一信号处理器,所述信号处理器输出信号给所述热致发声装置;以及

一音频信号输入接口和一驱动信号输入接口,所述音频信号输入接口和所述驱动信号输入接口分别与所述信号处理器电连接,分别输入音频信号与驱动信号给信号处理器;

所述热致发声装置进一步包括一基底,所述基底具有一表面,该表面形成有多个凹槽;以及一热致发声元件设置于所述基底的该表面并覆盖所述多个凹槽,对应凹槽位置处的热致发声元件悬空设置,所述基底为硅基底,所述凹槽的深度为100微米至200微米,其特征在于,所述热致发声元件与所述硅基底通过一绝缘层绝缘,所述绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层以及一第三绝缘层;所述第一绝缘层及第二绝缘层为一不连续的结构,且依次层叠贴附于所述凹槽之间的凸部的顶面,第三绝缘层为一连续的层状结构,且贴附于所述第二绝缘层的表面以及所述凹槽的底面及侧面。

2.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述驱动信号输入接口为一USB插头,所述信号处理器集成在所述USB插头内。

3.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述信号处理器集成设置在耳机头的壳体内。

4.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述信号处理器通半导体工艺集成设置在所述基底上。

5.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,进一步包括一耳机控制器与所述耳机头电连接,所述信号处理器集成在耳机控制器内。

6.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述信号处理器包括一音频处理模块以及一电流处理模块,所述音频信号输入接口与所述音频处理模块电连接输入音频信号,所述驱动信号输入接口与所述电流处理模块电连接输入驱动信号。

7.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述基底的面积为25平方毫米至100平方毫米。

8.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述凹槽的宽度大于等于0.2毫米小于1毫米。

9.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述多个凹槽相互平行且间隔设置。

10.如权利要求9所述的耳机,其特征在于,所述热致发声元件包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线,所述多个碳纳米管线沿同一方向延伸,且所述碳纳米管线的延伸方向与所述凹槽的延伸方向形成一夹角。

11.如权利要求10所述的耳机,其特征在于,相邻碳纳米管线之间的间隔为0.1微米至200微米。

12.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述热致发声元件为一层状碳纳米管结构,该层状碳纳米管结构有多个碳纳米管组成。

13.如权利要求12所述的耳机,其特征在于,所述层状碳纳米管结构包括至少一碳纳米管膜,所述碳纳米管膜包括多个碳纳米管与所述基底的表面平行,且沿同一方向择优取向延伸。

14.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述热致发声装置进一步包括一第一电极和一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接,所述第一电极与所述第二电极之间的基底表面具有至少一凹槽。

15.如权利要求14所述的耳机,其特征在于,多个第一电极形成一第一梳状电极,多个第二电极形成一第二梳状电极,所述第一梳状电极与第二梳状电极相互交错插入设置。

16.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述壳体具有一出声部,所述热致发声元件与所述壳体的出声部面对且间隔设置。

17.一种耳机,其包括:一耳机头,所述耳机头包括一壳体以及一设置于壳体内的热致发声装置;一信号处理器,所述信号处理器通过有线或无线方式输出信号给所述热致发声装置;以及一音频信号输入接口和一驱动信号输入接口,所述音频信号输入接口和所述驱动信号输入接口分别向所述信号处理器输入音频信号和驱动信号,所述信号处理器将输入的音频信号与驱动信号进行处理后输出给所述热致发声装置,驱动所述热致发声装置发声;所述热致发声装置进一步包括一基底,所述基底的一表面形成有多个凹部;一热致发声元件,设置于所述基底的一表面,所述热致发声元件包括一层状碳纳米管结构,该层状碳纳米管结构在所述凹部处悬空设置;以及一第一电极和一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接;所述基底为硅基底,所述凹部的深度为100微米至200微米,其特征在于,所述热致发声元件与所述硅基底通过一绝缘层绝缘,所述绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层以及一第三绝缘层;所述第一绝缘层及第二绝缘层为一不连续的结构,且依次层叠贴附于所述凹部之间的凸部的顶面,第三绝缘层为一连续的层状结构,且贴附于所述第二绝缘层的表面以及所述凹部的底面及侧面。

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