[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201210472364.0 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102931255A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 金井升;黄纪德;许佳平;王单单;蒋方丹 | 申请（专利权）人： | 上饶光电高科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接触 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底背面的绝缘层；
位于所述绝缘层表面上且穿透该绝缘层，并与半导体衬底背面欧姆接触的第一电极和第二电极，其中，第一电极和第二电极在所述绝缘层上相间分布，且第一电极和第二电极的掺杂类型不同。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括，位于所述半导体衬底正表面内的前表面场，且所述前表面场的掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型相同。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，还包括，位于所述前表面场表面上的减反射膜。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，还包括，与第一电极电连接的第一集成块组，以及与第二电极电连接的第二集成块组。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一集成块组位于该太阳能电池背面的一个侧边，所述第二集成块组位于该太阳能电池背面的另一个侧边。
6.一种背接触太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底背面形成绝缘层；
在所述绝缘层表面上印刷第一电极材料和第二电极材料；
对该衬底进行烧结，使第一电极材料和第二电极材料穿透所述绝缘层，并与衬底背面欧姆接触，形成第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和第二电极在所述绝缘层上相间分布，且第一电极和第二电极的掺杂类型不同。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底背面形成绝缘层之后，在所述绝缘层表面上印刷第一电极材料和第二电极材料之前，还包括：在所述绝缘层表面形成凹槽，所述凹槽穿透绝缘层，且所述凹槽的位置与所述第一电极和/或所述第二电极的印刷位置重合。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括采用扩散工艺，在所述半导体衬底正面形成前表面场。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括在前表面场的表面上形成减反射膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
