[发明专利]一种发光二极管激光刻蚀方法有效
申请号: | 201210472579.2 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN102931299B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 王磊;李国琪;余志炎 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;B23K26/364;B23K26/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 马晓亚 |
地址: | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 激光 刻蚀 方法 | ||
1.一种发光二极管激光刻蚀方法,用于进行集成式发光二极管的隔离沟槽的刻蚀,所述方法包括:
按照预定尺寸在用于制造所述集成式发光二级管的外延片表面制作沟槽图形,其中沟槽图形为在外延片表面做出的深度很浅的划槽;
通过激光划刻设备按照沟槽图形对所述外延片的外延层进行沟槽的划刻,直到沟槽达到外延片的衬底;
在进行沟槽划刻前,在所述外延片的外延层上形成保护层;
在进行沟槽划刻后,对划刻形成的沟槽进行湿法腐蚀;
所述对划刻形成的沟槽进行湿法腐蚀包括:
利用按体积比3:1混合的浓硫酸和浓磷酸的混合液,在250℃温度下对划刻形成的沟槽进行腐蚀。
2.根据权利要求1所述的发光二极管激光刻蚀方法,其特征在于,所述激光划刻设备包括纳秒激光器、飞秒激光器或皮秒激光器。
3.根据权利要求1所述的发光二极管激光刻蚀方法,其特征在于,通过控制激光划刻设备的划刻速度和激光功率来控制所述沟槽的刻蚀深度。
4.根据权利要求1所述的发光二极管激光刻蚀方法,其特征在于,通过控制激光光束宽度和/或聚焦深度控制所述沟槽的刻蚀宽度。
5.根据权利要求1所述的发光二极管激光刻蚀方法,其特征在于,所述外延片为在蓝宝石衬底上生长有氮化镓外延层的外延片。
6.根据权利要求5所述的发光二极管激光刻蚀方法,其特征在于,所述氮化镓外延层包括依次生长的氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱发光层和P型氮化镓层。
7.一种集成式发光二极管的制造方法,其特征在于,使用如权利要求1-6任一所述的发光二极管激光刻蚀方法进行隔离沟槽的刻蚀。
8.如权利要求7所述的集成式发光二极管的制造方法,其特征在于,所述集成式发光二极管包括高压发光二极管和交流发光二极管。
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