[发明专利]包含铅‑碲基氧化物的导电组合物在具有轻掺杂发射器的半导体装置的制造中的用途

权利要求书

1.一种用于在包含轻掺杂发射器的硅半导体基板上形成电极的方法，所述方法包括：

(a)提供承载结点的硅半导体基板，所述基板具有前侧表面和后侧表面面，并且包括设置在至少所述硅半导体基板的所述前侧表面上的一个或多个绝缘膜以及在所述硅半导体基板的所述前侧表面处的轻掺杂发射器；

(b)将厚膜导电浆料组合物施用到所述一个或多个绝缘膜的至少一部分上以形成层状结构，所述厚膜导电浆料组合物包含：

i)80-99.5重量％的导电金属；

ii)0.5-20重量％的Pb-Te基氧化物；和

iii)有机介质，

其中所述导电金属和所述Pb-Te基氧化物分散在所述有机介质中，并且上述重量％是基于所述导电金属和所述Pb-Te基氧化物的总重量计的；

所述Pb-Te基氧化物包含30-75重量％的PbO和25-70重量％的TeO₂，其中所述Pb-Te基氧化物中氧化物的重量％是基于所述Pb-Te基氧化物的总重量计的，并且所述Pb-Te基氧化物中氧化物的总量为100重量％；以及

(c)焙烧所述硅半导体基板、所述一个或多个绝缘膜和所述厚膜导电浆料组合物，其中所述厚膜导电浆料组合物的所述有机介质挥发，从而形成与所述一个或多个绝缘层接触且与所述硅半导体基板电接触的电极。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括干燥所述厚膜导电浆料组合物的步骤，其中所述干燥步骤在步骤(b)之后但在步骤(c)之前进行。

3.根据权利要求1所述的方法，所述Pb-Te基氧化物包含36-52重量％的PbO和35-55重量％的TeO₂。

4.根据权利要求1所述的方法，所述Pb-Te基氧化物还包含0-2重量％的Li₂O、0-4重量％的Na₂O和0-4重量％的Cr₂O₃，前提条件是所述Li₂O、所述Na₂O和所述Cr₂O₃的总重量％在0.5-8重量％的范围内。

5.根据权利要求4所述的方法，所述Pb-Te基氧化物还包含1.65-20重量％的Bi₂O₃，前提条件是所述Li₂O和所述Bi₂O₃的总重量％在3.65-20重量％的范围内。

6.根据权利要求4或5所述的方法，所述Pb-Te基氧化物还包含选自下列的一种或多种氧化物：SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、CuO、TiO₂、Ag₂O、NiO、Fe₂O₃和RuO₂。

7.一种硅半导体装置，包含由权利要求1-6中的任一项的方法制备的轻掺杂发射器。

8.根据权利要求7所述的硅半导体装置，其中所述硅半导体装置为光伏电池。

9.一种包括轻掺杂发射器和由厚膜导电浆料组合物形成的电极的光伏电池，所述光伏电池包括：

i)80-99.5重量％的导电金属；

ii)0.5-20重量％的Pb-Te基氧化物；和

iii)有机介质，

所述导电金属和所述Pb-Te基氧化物分散在所述有机介质中，上述重量％是基于所述导电金属和所述Pb-Te基氧化物的总重量计的；

所述Pb-Te基氧化物包含30-75重量％的PbO和25-70重量％的TeO₂，所述Pb-Te基氧化物中氧化物重量％是基于所述Pb-Te基氧化物的总重量计的，所述Pb-Te基氧化物中氧化物的总量为100重量％，并且其中所述厚膜导电浆料组合物已被焙烧以除去所述有机介质并形成所述电极。