[发明专利]一种降低液晶面板功耗的装置及方法在审
申请号: | 201210472969.X | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN103839523A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 孙伟 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张颖玲;孟桂超 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 液晶面板 功耗 装置 方法 | ||
1.一种降低液晶面板功耗的装置,其特征在于,该装置包括:在每条数据线上形成的薄膜场效应晶体管、在与栅线平行的方向上形成的与所述薄膜场效应晶体管的栅极连接的切断线、以及开关控制单元;其中,
开关控制单元,用于在数据信号传输的过程中,通过所述切断线控制所述薄膜场效应晶体管的开关状态,以控制液晶面板数据线上需要充电的电容个数。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,每条所述数据线上的所述薄膜场效应晶体管的个数为一个以上;
相应的,所述切断线的条数为一条以上。
3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述开关控制单元,具体用于:当获知所述数据线开始传输数据信号时,通过所述切断线控制所有所述薄膜场效应晶体管开启,使所述数据线上的所有电容均充电;并在数据信号传输过程中,当获知位于每条所述切断线之上的栅线所对应的数据信号传输完成后,通过位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线,控制所述位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线连接的薄膜场效应晶体管关闭,使所述数据线上位于已关闭的薄膜场效应晶体管之下的电容充电,继续进行数据信号传输。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,该装置进一步包括:定时器/计数器控制寄存器,用于当所述数据线开始传输数据信号时,通知所述开关控制单元;并在数据信号传输过程中,当位于每条所述切断线之上的栅线所对应的数据信号传输完成后,通知所述开关控制单元;
所述开关控制单元,还用于收到定时器/计数器控制寄存的所述数据线开始传输数据信号的通知后,通过切断线控制所有薄膜场效应晶体管开启;并在收到定时器/计数器控制寄存的位于每条所述切断线之上的栅线所对应的数据信号传输完成后的通知后,通过位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线,控制所述位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线连接的薄膜场效应晶体管关闭。
5.一种降低液晶面板功耗的方法,其特征在于,该方法包括:
在每条数据线上形成薄膜场效应晶体管,在与栅线平行的方向上形成与所述薄膜场效应晶体管的栅极连接的切断线;
在数据信号传输的过程中,通过所述切断线控制所述薄膜场效应晶体管的开关状态,以控制液晶面板数据线上需要充电的电容个数。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述每条所述数据线上的所述薄膜场效应晶体管的个数为一个以上;
相应的,所述切断线的条数为一条以上。
7.根据权利要求5或6所述的方法,其特征在于,所述在数据信号传输的过程中,通过所述切断线控制所述薄膜场效应晶体管的开关状态,以控制液晶面板数据线上需要充电的电容个数,为:
当获知所述数据线开始传输数据信号时,开关控制单元通过所述切断线控制所有所述薄膜场效应晶体管开启,使所述数据线上的所有电容均充电;并在数据信号传输过程中,当获知位于每条所述切断线之上的栅线所对应的数据信号传输完成后,开关控制单元通过位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线,控制所述位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线连接的薄膜场效应晶体管关闭,使所述数据线上位于已关闭的薄膜场效应晶体管之下的电容充电,继续进行数据信号传输。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述获知所述数据线开始传输数据信号,为:定时器/计数器控制寄存器通知所述开关控制单元所述数据线开始传输数据信号;
相应的,所述获知位于每条所述切断线之上的栅线所对应的数据信号传输完成,为:所述定时器/计数器控制寄存器通知所述开关控制单元,位于每条所述切断线之上的栅线所对应的数据信号传输完成。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述定时器/计数器控制寄存器通知所述开关控制单元所述数据线开始传输数据信号,为:所述定时器/计数器控制寄存器通过时序控制信号,通知所述开关控制单元所述数据线开始传输数据信号;
相应的,所述定时器/计数器控制寄存器通知所述开关控制单元,位于每条所述切断线之上的栅线所对应的数据信号传输完成,为:所述定时器/计数器控制寄存器通过时序控制信号,通知所述开关控制单元位于每条所述切断线之上的栅线所对应的数据信号传输完成。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述开关控制单元通过所述切断线控制所有所述薄膜场效应晶体管开启,为:通过所述切断线向所有所述薄膜场效应晶体管的栅极输出高电平信号,使所有所述薄膜场效应晶体管开启;
相应的,所述通过位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线,控制所述位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线连接的薄膜场效应晶体管关闭,为:通过位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线,向所述位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线连接的薄膜场效应晶体管的栅极输出低电平信号,使所述位于完成数据信号传输的栅线之下的切断线连接的薄膜场效应晶体管关闭。
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