[发明专利]一种狭缝电极、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种狭缝电极、阵列基板及显示装置。

背景技术

目前，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）的显示模式主要有扭曲向列（Twisted Nematic，TN）模式、垂直取向（Vertical Alignment，VA）模式、平面方向转换（In-Plane-Switching，IPS）模式和高级超维场转换（ADvanced Super Dimension Switch，ADS）模式等。

ADS模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

如图1所示，现有ADS模式的阵列基板上形成有栅线22和数据线21，相邻的栅线22和数据线21限定了亚像素区（即R亚像素区、G亚像素区或B亚像素区），每一个亚像素区内形成有一个薄膜晶体管（TFT）、条形公共电极24和像素电极25，公共电极24与像素电极25之间为绝缘层（俯视图未示出）。在无电压时，公共电极24和像素电极25之间无电场，位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子26不发生偏转；当施加电压时，公共电极24和像素电极25之间形成水平电场，液晶分子26沿着电场的方向发生偏转，在宽视角的前提下，实现了较高的透光效率。

如图2所示，现有ADS模式的阵列基板通常采用“//”状的双畴像素结构，即公共电极34为“//”状。在施加电压时，液晶分子具有对称取向，显示视角可以在特定角度上呈现一致的对称性。然而，当旋转屏幕或从不同角度观察屏幕时，由于液晶分子表观长度不同，显示视角并不是一致对称（例如，在0°、90°、180°和270°方向上的视角与45°、135°、225°和315°上的视角就有较大差异），显示效果较差。

上述水平摩擦排列的液晶分子模式的显示阵列基板，容易带来水平方向画面明暗不均的显示缺陷，导致图像的显示品质较差。

另外，由于液晶分子水平排列，在观察角度易产生色偏，影响画面显示效果。

发明内容

本发明实施例提供了一种狭缝电极、阵列基板和显示装置，用以提高显示装置显示图像亮度的均匀性，降低图像色偏，从而提高图像画面的品质。

本发明实施例提供的一种狭缝电极，包括：至少一个狭缝电极单元，所述狭缝电极单元包括多个沿第一方向排列的第一狭缝组，以及多个沿第二方向排列的第二狭缝组；所述第一狭缝组中包括至少一个沿第一方向排列的狭缝；所述第二狭缝组中包括至少一个沿第二方向排列的狭缝；所述第一狭缝组和所述第二狭缝组间隔排列。

较佳地，所述第一狭缝组中包括一个或两个狭缝；所述第二狭缝组中包括一个或两个狭缝。

较佳地，所述第一狭缝组中的狭缝与第二狭缝组中的狭缝之间的夹角为

0°~20°。

较佳地，属于第一狭缝组和第二狭缝组相邻的狭缝之间的平均距离为1μm~40μm。

较佳地，所述狭缝电极包括两个狭缝电极单元，两个狭缝电极单元上的狭缝呈镜像分布。

较佳地，所述狭缝电极为公共电极或像素电极。

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括所述狭缝电极。

本发明实施例提供的一种显示装置，包括所述阵列基板。

本发明实施例提供的一种狭缝电极，包括：至少一个狭缝电极单元；所述狭缝电极单元包括多个沿第一方向排列的第一狭缝组，以及多个沿第二方向排列的第二狭缝组；所述第一狭缝组中包括至少一个沿第一方向排列的狭缝；所述第二狭缝组中包括至少一个沿第二方向排列的狭缝，所述第一狭缝组和所述第二狭缝组间隔排列。狭缝的设置方向不同，相应地，狭缝电极的形状也不同，狭缝电极与对应的电极之间形成的局部电场的方向不同，排列在相邻狭缝周围的液晶分子水平排列方向不同，整体图像亮度达到均匀性。另外，由于液晶分子固有的特性，液晶分子长轴方向图像呈现蓝色，短轴方向图像呈现出红色。由于排列在相邻狭缝周围的液晶分子水平排列方向不同，多个液晶分子长轴和短轴方向图像呈现不同颜色得到均衡，降低了图像色偏的问题。