[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210473969.1 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839792B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 崔虎山;钟汇才;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括：
在衬底上形成假栅极绝缘层和假栅极层构成的假栅极堆叠；
在假栅极堆叠两侧的衬底上形成栅极侧墙，其中假栅极绝缘层和栅极侧墙的包含的材料选自氮化硅、非晶碳之一并且相互不同以具有较高的刻蚀选择性；
去除假栅极层，直至暴露假栅极绝缘层；
去除假栅极绝缘层，直至暴露衬底，形成栅极沟槽，其中避免使用HF基腐蚀液去除假栅极绝缘层，避免对衬底的侵蚀。
2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成假栅极绝缘层之前还采用HF基溶液清洗衬底表面。
3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，采用CVD法制备氮化硅。
4.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，栅极侧墙为多层结构，包括第一栅极侧墙、栅极侧墙间隔层、第二栅极侧墙，其中第一栅极侧墙包含的材料选自氮化硅、非晶碳之一并且与假栅极绝缘层不同。
5.如权利要求4的半导体器件制造方法，其中，栅极侧墙间隔层包括氧化硅，第二栅极侧墙包括氮化硅、氮氧化硅、DLC及其组合。
6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，采用热磷酸湿法腐蚀去除氮化硅材质的假栅极绝缘层。
7.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，热磷酸腐蚀之后还采用含臭氧的去离子水清洗，以在衬底表面形成界面层。
8.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，延长热磷酸腐蚀时间以清除假栅极绝缘层下方的氧化物。
9.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，采用氧等离子体干法刻蚀去除非晶碳材质的假栅极绝缘层。
10.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，在栅极沟槽中形成高k材料的栅极绝缘层以及金属材料的栅极导电层构成的栅极堆叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210473969.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种变电站手持设备终端巡检系统
- 下一篇：挡门组件及出卡装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
