[发明专利]发光二极管制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管的制造方法，尤其涉及一种可有效降低晶体缺陷的发光二极管制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。

在LED的磊晶生长过程中，如何降低LED晶粒的晶体缺陷是人们需要考虑的问题。一种制备低缺陷的LED晶粒的方法是采用图案化的蓝宝石基板。即，在蓝宝石基板上形成多个凸出部，所述多个凸出部可使到后续磊晶过程中半导体层形成侧向生长，从而降低LED晶粒的晶体缺陷。然而，在上述过程中，缺陷容易集中在凸出部顶部的磊晶层中，从而对后续的磊晶层的成长造成影响。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种可有效降低晶体缺陷的发光二极管的制造方法。

一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：

提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；

在蓝宝石基板的表面成长未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层覆盖凸出部的顶部区域；

在未掺杂GaN层表面自组织成长多个岛状半导体区域，所述岛状半导体区域之间形成有间隙以暴露出未掺杂GaN层的部分表面；

在暴露的未掺杂GaN层的表面成长n型GaN层，所述n型GaN层覆盖所述多个岛状半导体区域；

在n型GaN层表面成长活性层；以及

在活性层表面成长p型GaN层。

在上述发光二极管的制造方法中，通过在未掺杂GaN层表面自组织成长多个岛状半导体区域，由于自组织成长的岛状半导体区域容易在缺陷聚集的地方开始成长，所述多个岛状半导体区域将会覆盖未掺杂GaN层的缺陷聚集区域的表面上，在后续成长n型GaN层、活性层以及p型GaN层的过程中，由于岛状半导体区域对缺陷的阻挡作用，位于未掺杂GaN层中的缺陷将不会向上延伸，从而降低后续成长n型GaN层、活性层以及p型GaN层的缺陷。

附图说明

图1是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第一个步骤。

图2是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第二个步骤。

图3是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第三个步骤。

图4是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第四个步骤。

图5是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第五个步骤。

主要元件符号说明

蓝宝石基板110凸出部111未掺杂GaN层120岛状半导体区域130间隙131n型GaN层140活性层150p型GaN层160

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下参照图示，对本发明的发光二极管制造方法进行进一步的说明。