[发明专利]三维集成微型变压器有效

申请号：	201210475510.5	申请日：	2012-11-21
公开（公告）号：	CN102969304A	公开（公告）日：	2013-03-13
发明（设计）人：	伍荣翔;李威;单建安;罗和平	申请（专利权）人：	电子科技大学
主分类号：	H01L23/64	分类号：	H01L23/64;H01F27/28
代理公司：	成都惠迪专利事务所 51215	代理人：	刘勋
地址：	610000 四川省成***	国省代码：	四川;51
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摘要：
搜索关键词：	三维集成微型变压器
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【权利要求书】：

1.三维集成微型变压器，其特征在于，在上层芯片的下方设置有第一金属线圈[12]，下层芯片的上方设置有第二金属线圈[22]，第一金属线圈[12]和第二金属线圈[22]位置相对，两层芯片上的金属线圈之间为隔离层[30]。

2.如权利要求1所述的三维集成微型变压器，其特征在于，第一金属线圈[12]设置于上层芯片的下表面，第一金属线圈[12]和上层芯片衬底[10]之间为绝缘层；第二金属线圈[22]设置于下层芯片的上表面，第二金属线圈[22]和下层芯片衬底[20]之间为绝缘层。

3.如权利要求1所述的三维集成微型变压器，其特征在于，第一金属线圈[12]嵌入设置于上层芯片衬底[10]，第一金属线圈[12]和上层芯片衬底[10]之间为绝缘层；第二金属线圈[22]嵌入设置于下层芯片衬底[20]，第二金属线圈[22]和下层芯片衬底[20]之间为绝缘层。

4.如权利要求1所述的三维集成微型变压器，其特征在于，第一金属线圈[12]设置于上层芯片的下表面，第一金属线圈[12]和上层芯片衬底[10]之间为绝缘层；第二金属线圈[22]嵌入设置于下层芯片衬底[20]，第二金属线圈[22]和下层芯片衬底[20]之间为绝缘层。

5.如权利要求1所述的三维集成微型变压器，其特征在于，第一金属线圈[12]嵌入设置于上层芯片衬底[10]，第一金属线圈[12]和上层芯片衬底[10]之间为绝缘层；第二金属线圈[22]设置于下层芯片的上表面，第二金属线圈[22]和下层芯片衬底[20]之间为绝缘层。

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