[发明专利]散射层由渐进TiO2颗粒构成的半导体薄膜制备方法有效
申请号: | 201210476862.2 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN103219160A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 孟舒献;于向梅;冯亚青;张宝 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;H01G9/042 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 散射 渐进 tio sub 颗粒 构成 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种散射层依次由渐进尺寸的TiO2颗粒构成的半导体薄膜制备方法,其特征在于包括以下过程:
1) 将聚乙烯吡咯烷酮加入到乙醇溶剂中,配制成质量分数为2~25%的聚乙烯吡咯烷酮溶液,按照浓度为0.8mol的TiCl4溶液与乙醇的体积比为1:3,再向聚乙烯吡咯烷酮溶液中加入 TiCl4溶液,在搅拌及在温度40℃~80℃下,按照聚乙烯吡咯烷酮与尿素质量比为1:(0.5~4)再加入的尿素,搅拌至尿素全部溶解,得到水热前躯体;
2)将步骤1)制备的水热前躯体放入水热釜中,在温度80℃~220℃进行水热反应4h~20h,反应产物去除上清液,沉淀物用乙醇和去离子水分别离心洗涤至离心管内上清液澄清为止,洗涤后颗粒在温度80~120℃下干燥,将干燥后的产物放入马弗炉中,在马弗炉中以10oC/min的速度升温至温度450~500℃下煅烧3h~6h,得到粒径分别为1μm、2μm、3μm的TiO2球状颗粒;
3)将步骤2)制得的粒径分别为1μm、2μm、3μm的TiO2球状颗粒,分别与松油醇、乙基纤维素、乙醇和锆珠按质量比为1:3~5:0.3~0.7:20~40:60的比例球磨混合,再经过滤分离出锆珠和悬蒸分离出乙醇后,得到用于制备半导体薄膜散射层的含1μmTiO2球状颗粒的浆料、含2μmTiO2球状颗粒的浆料和含3μmTiO2球状颗粒的浆料;
4)以商品化TiO2与松油醇、乙基纤维素、乙醇和锆珠按质量比为1:3~5:0.3~0.7:20~40:60的比例球磨混合,过滤分离出锆珠并悬蒸分离出乙醇后,得到用于制备半导体薄膜透射层的浆料;
5) 将导电玻璃在0.5mol/L的TiCl4溶液中于温度70℃恒温30min进行处理,得到半导体薄膜致密层,在温度80~120℃下烘干后作为透射层基底,将步骤4)制得的透射层浆料利用丝网印刷涂布在致密层基底上方,涂布厚度为12~16μm,在温度80-120oC下烘干后作为散射层基底,将步骤3)制得的1μm的TiO2球状颗粒散射层浆料利用丝网印刷涂布在基底上,涂布厚度为3μm,在温度80~120oC下烘干,得到涂覆第一层散射层的半导体薄膜;以其为基底,再将步骤3)制得的2μm的TiO2球状颗粒散射层浆料利用丝网印刷涂布在该基底上,涂布厚度为3μm,在温度80~120oC下烘干得到涂覆第二层散射层的半导体薄膜;以其为基底,将步骤3)制得的3μm的TiO2球状颗粒散射层浆料利用丝网印刷涂布在基底上,涂布厚度为3μm,在温度80~120oC下烘干;得到具有TiO2渐进的散射层的半导体薄膜;
6) 将步骤5)制得的半导体薄膜放入马弗炉中,以10oC/min的升温速率,升温至450~500oC恒温煅烧30~60min,得到散射层由渐进TiO2颗粒构成的半导体薄膜。
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