[发明专利]低压差线性稳压器及其极点调整方法

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器，其特征在于，包括：误差放大器、第一电流提供单元、第二电流提供单元、PMOS调整晶体管、第一电阻和第二电阻；

所述PMOS调整晶体管的源极连接第一电压端，漏极连接所述第一电阻的第一端，栅极连接所述误差放大器的输出端；

所述第一电流提供单元适于产生基准电流；

所述第二电流提供单元适于产生调节电流，所述调节电流与所述低压差线性稳压器的输出端的电流相关联；

所述误差放大器的第一输入端输入参考电压，第二输入端连接所述第一电阻的第二端和第二电阻的第一端，偏置电流输入端输入所述基准电流和调节电流叠加产生的偏置电流；

所述第一电阻的第一端为所述低压差线性稳压器的输出端；

所述第二电阻的第二端连接第二电压端；

所述第一电压端的电压值大于第二电压端的电压值。

2.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第二电流提供单元包括：第二PMOS晶体管和第一电流镜单元；

所述第二PMOS晶体管的源极连接所述第一电压端，漏极连接所述第一电流镜单元的输入端，栅极连接所述PMOS调整晶体管的栅极；

所述第一电流镜单元的第一输出端连接所述误差放大器的偏置电流输入端，第二输出端连接所述第二电压端。

3.如权利要求2所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一电流镜单元包括：第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；

所述第一NMOS晶体管的漏极连接第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极并作为所述第一电流镜单元的输入端，源极连接所述第二电压端；

所述第二NMOS晶体管的漏极作为所述第一电流镜单元的第一输出端，源极作为所述第一电流镜单元的第二输出端。

4.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第二电流提供单元包括：第二电流镜单元和第三电流镜单元；

所述PMOS调整晶体管的漏极通过所述第二电流镜单元连接所述第一电阻的第一端；

所述第二电流镜单元的输入端连接所述PMOS调整晶体管的漏极，第一输出端连接所述第一电阻的第一端，第二输出端连接所述第三电流镜单元的输入端；

所述第三电流镜单元的第一输出端连接所述误差放大器的偏置电流输入端，第二输出端连接所述第二电压端。

5.如权利要求4所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第二电流镜单元包括：第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管；

所述第三PMOS晶体管的源极连接所述第四PMOS晶体管的源极并作为所述第二电流镜单元的输入端，栅极连接所述第三PMOS晶体管的漏极和第四PMOS晶体管的栅极并作为所述第二电流镜单元的第一输出端；

所述第四PMOS晶体管的漏极作为所述第二电流镜单元的第二输出端。

6.如权利要求4所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第三电流镜单元包括：第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；

所述第三NMOS晶体管的漏极连接第三NMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极并作为所述第三电流镜单元的输入端，源极连接所述第二电压端；

所述第四NMOS晶体管的漏极作为所述第三电流镜单元的第一输出端，源极作为所述第三电流镜单元的第二输出端。

7.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述调节电流随所述低压差线性稳压器的输出端的电流增大而增大。

8.一种低压差线性稳压器的极点调整方法，其特征在于，包括：

提供基准电流和调节电流，所述调节电流与所述低压差线性稳压器的输出端的电流相关联；

叠加所述基准电流和调节电流，以获得偏置电流；

提供所述偏置电流至所述低压差线性稳压器中的误差放大器的偏置电流输入端。

9.如权利要求8所述的极点调整方法，其特征在于，提供调节电流包括：

采集所述低压差线性稳压器的输出端电流以产生所述调节电流。

10.如权利要求8所述的极点调整方法，其特征在于，提供调节电流包括：

采集所述低压差线性稳压器中的PMOS调整晶体管的栅极端电压以产生所述调节电流。